Документация
Транзистор DG75X12T2
У поставщика
У поставщиков
24 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:24 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 872,28 |
| от 4 | 827,60 |
| от 7 | 791,20 |
| от 13 | 764,18 |
| от 30 | 744,06 |
Описание
Транзистор IGBT DG75X12T2 от STARPOWER выполнен по технологии Trench в корпусе TO-247 для монтажа в отверстия. Компонент рассчитан на ток коллектора до 75 А при 137 °C, рассеивает до 852 Вт и выдерживает напряжение затвор-эмиттер ±20 В. Подходит для мощных преобразователей, сварочных инверторов и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Технология | Trench IGBT |
| Описание | 1200V/75A IGBT with Diode |
| Gate charge | 0.49µC |
| Артикул | DG75X12T2 |
| Vce sat 25c | 1.75V |
| Производитель | DOSEMI |
| Vce sat 150c | 2.00V |
| Vce sat 175c | 2.20V |
| Fall time 25c | 212ns |
| Rise time 25c | 117ns |
| Vge threshold | 5.6V |
| Fall time 150c | 314ns |
| Fall time 175c | 324ns |
| Rise time 150c | 109ns |
| Rise time 175c | 110ns |
| Вх. емкость | 6.59nF |
| Рассеиваемая мощность | 852W |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Gate leakage current | 100nA |
| Collector current 25c | 150A |
| Макс. рас. мощн. | 852W |
| Ток КЗ | 300A |
| Температура пайки | 260°C |
| Threshold voltage max | 6.8V |
| Threshold voltage min | 5.6V |
| Collector current 137c | 75A |
| Turn on delay time 25c | 47ns |
| Turn off delay time 25c | 157ns |
| Turn on delay time 150c | 52ns |
| Turn on delay time 175c | 53ns |
| Collector current pulsed | 225A |
| Ток отсечки коллектора | 250µA |
| Internal gate resistance | 2.0Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Pulsed collector current | 225A |
| Short circuit capability | 10μs |
| Turn off delay time 150c | 203ns |
| Turn off delay time 175c | 235ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode forward voltage 25c | 2.15V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Threshold voltage typical | 6.2V |
| Diode forward voltage 150c | 2.15V |
| Diode forward voltage 175c | 2.15V |
| Diode recovered charge 25c | 2.87µC |
| Saturation voltage max 25c | 2.20V |
| Turn on switching loss 25c | 9.91mJ |
| Diode recovered charge 150c | 7.62µC |
| Diode recovered charge 175c | 8.98µC |
| Диап. раб. темп. | -40 to 175°C |
| Turn off switching loss 25c | 4.30mJ |
| Turn on switching loss 150c | 13.0mJ |
| Turn on switching loss 175c | 14.8mJ |
| Diode pulsed forward current | 225A |
| Gate emitter leakage current | 100nA |
| Обратная проходная емкость | 0.19nF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Turn off switching loss 150c | 6.39mJ |
| Turn off switching loss 175c | 6.67mJ |
| Diode forward voltage max 25c | 2.60V |
| Diode forward voltage typical | 2.15V |
| Рабочая температура перехода | -40 to +175°C |
| Saturation voltage typical 25c | 1.75V |
| Diode reverse recovery time 25c | 239ns |
| Saturation voltage typical 150c | 2.00V |
| Saturation voltage typical 175c | 2.20V |
| Diode continuous forward current | 75A |
| Diode reverse recovery time 150c | 451ns |
| Diode reverse recovery time 175c | 481ns |
| Diode reverse recovery energy 25c | 0.76mJ |
| Diode reverse recovery energy 150c | 2.63mJ |
| Diode reverse recovery energy 175c | 3.13mJ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40K/W |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 1200V |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.176K/W |
| Thermal resistance junction case diode | 0.280K/W |
| Термосопротивление переход-среда | 40 K/W |
| Diode peak reverse recovery current 25c | 19.5A |
| Diode peak reverse recovery current 150c | 30.6A |
| Diode peak reverse recovery current 175c | 33.1A |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.176 K/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.280 K/W |
| Мощность, Вт | 852 |
| Напряжение, В | 1200 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?