Документация
Биполярный транзистор IGBT 1200В 150A 937Вт
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
57 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:57 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 450,06 |
| от 6 | 425,11 |
| от 11 | 404,77 |
| от 21 | 389,65 |
| от 60 | 378,41 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT DG75Q12T2 от STARPOWER рассчитан на напряжение 1200 В, ток 150 А и мощность 937 Вт. Выполнен в корпусе TO-247, поставляется в тубе. Подходит для применения в промышленной автоматике, силовых преобразователях и частотных приводах.
Технические характеристики
| RthJA | 40K/W |
| Vf 25c | 1.85V |
| Eon 25c | 13.1mJ |
| Корпус | TO-247 |
| Vf 150c | 1.95V |
| Vf 175c | 2.00V |
| Eoff 25c | 2.56mJ |
| Eon 150c | 15.9mJ |
| Eon 175c | 16.9mJ |
| Тип монтажа | Выводной |
| Eoff 150c | 3.20mJ |
| Eoff 175c | 3.45mJ |
| Без свинца | Да |
| Rthjc igbt | 0.160K/W |
| Технология | Trench IGBT |
| Vge th max | 6.8V |
| Vge th min | 5.6V |
| Vge th typ | 6.2V |
| Описание | 1200V/75A IGBT with Diode |
| Gate charge | 0.57μC |
| Артикул | DG75Q12T2 |
| Rthjc diode | 0.260K/W |
| Vce sat 25c | 1.90V |
| Производитель | DOSEMI |
| Vce sat 150c | 2.30V |
| Vce sat 175c | 2.40V |
| Fall time 25c | 136ns |
| Rise time 25c | 158ns |
| Fall time 150c | 201ns |
| Fall time 175c | 211ns |
| Rise time 150c | 168ns |
| Rise time 175c | 169ns |
| Вх. емкость | 7.46nF |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Recovered charge 25c | 3.46μC |
| Collector current 25c | 150A |
| Макс. рас. мощн. | 937W |
| Recovered charge 150c | 3.51μC |
| Recovered charge 175c | 3.87μC |
| Ток КЗ | 300A |
| Температура пайки | 260°C |
| Collector current 134c | 75A |
| Turn on delay time 25c | 91ns |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Turn off delay time 25c | 299ns |
| Turn on delay time 150c | 93ns |
| Turn on delay time 175c | 94ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 350uA |
| Internal gate resistance | 5.0Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -40°C |
| Pulsed collector current | 225A |
| Turn off delay time 150c | 306ns |
| Turn off delay time 175c | 313ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode max forward current | 225A |
| Reverse recovery energy 25c | 1.79mJ |
| Gate emitter leakage current | 100nA |
| Reverse recovery energy 150c | 3.33mJ |
| Reverse recovery energy 175c | 3.73mJ |
| Обратная проходная емкость | 0.18nF |
| Описание (англ.) | IGBT, 1.2KV/150A/937W |
| Diode continuous forward current | 75A |
| Peak reverse recovery current 25c | 20.3A |
| Peak reverse recovery current 150c | 24.6A |
| Peak reverse recovery current 175c | 25.7A |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 1200V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?