Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
140 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:140 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 313,64 |
| от 8 | 295,24 |
| от 15 | 280,26 |
| от 30 | 269,11 |
| от 60 | 260,82 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STARPOWER. Рабочее напряжение 600 В, ток до 100 А, мощность рассеивания 714 Вт. Выполнен в корпусе TO-247. Подходит для мощных импульсных источников питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Размеры | 15.8±0.3 x 10.8±0.2 x 5±0.2 mm |
| Технология | Low VCE(sat) Fast IGBT |
| Описание | 600V/50A IGBT with Diode |
| Gate charge | 0.35uC |
| Артикул | DG50X06T2 |
| Vce sat 25c | 1.45V |
| Производитель | DOSEMI |
| Vce sat 125c | 1.60V |
| Vce sat 150c | 1.70V |
| Fall time 25c | 24ns |
| Rise time 25c | 15ns |
| Vge threshold | 5.1V |
| Fall time 125c | 32ns |
| Fall time 150c | 40ns |
| Rise time 125c | 18ns |
| Rise time 150c | 18ns |
| Момент затяжки | 0.6 N.m |
| Вх. емкость | 5.80nF |
| Junction to ambient | 40 K/W |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Recovered charge 25c | 2.2uC |
| Collector current 25c | 100A |
| Junction to case igbt | 0.210 K/W |
| Макс. рас. мощн. | 714W |
| Recovered charge 125c | 4.3uC |
| Recovered charge 150c | 4.8uC |
| Ток КЗ | 250A |
| Температура пайки | 260°C |
| Collector current 100c | 50A |
| Junction to case diode | 0.410 K/W |
| Turn on delay time 25c | 18ns |
| Turn off delay time 25c | 136ns |
| Turn on delay time 125c | 18ns |
| Turn on delay time 150c | 18ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 1.0mA |
| Internal gate resistance | 0Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Pulsed collector current | 150A |
| Turn off delay time 125c | 152ns |
| Turn off delay time 150c | 160ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Diode forward voltage 25c | 1.30V |
| Diode max forward current | 150A |
| Диап. темп. хр. | -40 to +150°C |
| Diode forward voltage 125c | 1.25V |
| Diode forward voltage 150c | 1.20V |
| Turn on switching loss 25c | 0.32mJ |
| Reverse recovery energy 25c | 0.55mJ |
| Turn off switching loss 25c | 0.96mJ |
| Turn on switching loss 125c | 0.46mJ |
| Turn on switching loss 150c | 0.51mJ |
| Gate emitter leakage current | 400nA |
| Reverse recovery energy 125c | 1.10mJ |
| Reverse recovery energy 150c | 1.27mJ |
| Обратная проходная емкость | 0.11nF |
| Turn off switching loss 125c | 1.28mJ |
| Turn off switching loss 150c | 1.36mJ |
| Описание (англ.) | IGBT, 600V, 100A, 714W, TO-247 |
| Рабочая температура перехода | -40 to +150°C |
| Diode continuous forward current | 50A |
| Peak reverse recovery current 25c | 55A |
| Peak reverse recovery current 125c | 66A |
| Peak reverse recovery current 150c | 72A |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 600V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?