Документация
Биполярный транзитсор IGBT 1200В 80A 672Вт TO-247 PLUS
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
26 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:26 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 477,83 |
| от 6 | 451,39 |
| от 11 | 429,85 |
| от 21 | 413,85 |
| от 60 | 401,94 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT DG50Q12T2 от STARPOWER рассчитан на напряжение 1200 В, ток 80 А и мощность 672 Вт. Компонент выполнен в усиленном корпусе TO-247 PLUS, что обеспечивает эффективный отвод тепла. Применяется в силовой электронике, частотных преобразователях и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Размеры | см. технический паспорт |
| Технология | Trench IGBT |
| Gate charge | 0.37μC |
| Применение | Solar Power, Electronic welder, Uninterruptible power supply |
| Fall time tc25 | 77ns |
| Rise time tc25 | 96ns |
| Fall time tc150 | 136ns |
| Fall time tc175 | 138ns |
| Rise time tc150 | 107ns |
| Rise time tc175 | 113ns |
| Вх. емкость | 5.00nF |
| Рассеиваемая мощность | 672W |
| Anti parallel diode | fast & soft reverse recovery |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Ток КЗ | 200A |
| Температура пайки | 260°C |
| Collector current tc25 | 100A |
| Short circuit duration | 10μs |
| Collector current tc135 | 50A |
| Turn on delay time tc25 | 53ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 350μA |
| Internal gate resistance | 0Ω |
| Pulsed collector current | 150A |
| Short circuit capability | 10μs |
| Turn off delay time tc25 | 151ns |
| Turn on delay time tc150 | 56ns |
| Turn on delay time tc175 | 59ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Turn off delay time tc150 | 188ns |
| Turn off delay time tc175 | 200ns |
| Diode forward voltage tc25 | 1.85V |
| Diode forward voltage tc150 | 1.95V |
| Diode forward voltage tc175 | 2.00V |
| Diode recovered charge tc25 | 3.41μC |
| Turn on switching loss tc25 | 7.57mJ |
| Diode recovered charge tc150 | 7.96μC |
| Diode recovered charge tc175 | 9.35μC |
| Gate emitter leakage current | 100nA |
| Макс. температура перехода | 175°C |
| Обратная проходная емкость | 0.14nF |
| Turn off switching loss tc25 | 1.15mJ |
| Turn on switching loss tc150 | 9.42mJ |
| Turn on switching loss tc175 | 9.88mJ |
| Описание (англ.) | IGBT, 1.2KV/80A/672W/TO-247 PLUS |
| Diode maximum forward current | 150A |
| Turn off switching loss tc150 | 2.13mJ |
| Turn off switching loss tc175 | 2.38mJ |
| Gate emitter threshold voltage | 5.6V |
| Рабочая температура перехода | -40 to +175°C |
| Vce sat temperature coefficient | positive |
| Diode reverse recovery time tc25 | 345ns |
| Diode reverse recovery time tc150 | 580ns |
| Diode reverse recovery time tc175 | 640ns |
| Diode reverse recovery energy tc25 | 1.25mJ |
| Diode reverse recovery energy tc150 | 3.55mJ |
| Diode reverse recovery energy tc175 | 4.21mJ |
| Diode continuous forward current tc25 | 100A |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 1200V |
| Diode continuous forward current tc100 | 50A |
| Термосопротивление переход-среда | 40K/W |
| Diode peak reverse recovery current tc25 | 18.5A |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.223K/W |
| Collector emitter saturation voltage tc25 | 2.00V |
| Diode peak reverse recovery current tc150 | 25.6A |
| Diode peak reverse recovery current tc175 | 27.6A |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.420K/W |
| Collector emitter saturation voltage tc150 | 2.35V |
| Collector emitter saturation voltage tc175 | 2.55V |
| Напряжение, В | 1200 |
| Ток, А | 50 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?