Документация
Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
90 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:90 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 352,33 |
| от 8 | 331,83 |
| от 15 | 315,12 |
| от 30 | 302,71 |
| от 60 | 293,47 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT на 1200 В и 80 А от STARPOWER в корпусе TO-247. Модель рассчитана на мощность 487 Вт и подходит для высоковольтных схем. Применяется в промышленной автоматике, частотных преобразователях и мощных источниках питания.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Особенности | Low VCE(sat), low switching loss, positive temperature coefficient, fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD, lead free package |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 86ns (25°C), 162ns (125°C), 183ns (150°C) |
| Время нарастания | 28ns (25°C), 38ns (125°C), 38ns (150°C) |
| Технология | Trench IGBT |
| Gate charge | 0.27μC |
| Применение | Inverter for motor drive, AC and DC servo drive amplifier, Uninterruptible power supply |
| Момент затяжки | 0.6N.m |
| Recovered charge | 3.5μC (25°C), 6.5μC (125°C), 7.3μC (150°C) |
| Вх. емкость | 3.62nF |
| Рассеиваемая мощность | 468W |
| Время задержки включения | 150ns (25°C), 160ns (125°C), 160ns (150°C) |
| Время задержки выключения | 355ns (25°C), 495ns (125°C), 485ns (150°C) |
| Diode pulsed current | 120A |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Напр. диода | 1.95V to 2.40V (25°C), 2.00V (125°C), 2.10V (150°C) |
| Ток КЗ | 160A |
| Температура пайки | 260°C |
| Collector current tc25 | 80A |
| Gate threshold voltage | 5.6V to 6.8V |
| Turn on switching loss | 3.67mJ (25°C), 4.88mJ (125°C), 5.44mJ (150°C) |
| Collector current tc100 | 40A |
| Reverse recovery energy | 1.13mJ (25°C), 2.32mJ (125°C), 2.64mJ (150°C) |
| Turn off switching loss | 2.26mJ (25°C), 3.42mJ (125°C), 3.80mJ (150°C) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 100μA |
| Internal gate resistance | 0Ω |
| Pulsed collector current | 120A |
| Short circuit capability | 10μs |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Gate emitter leakage current | 100nA |
| Обратная проходная емкость | 0.10nF |
| Описание (англ.) | IGBT, 1.2KV, 80A, 487W, TO-247 |
| Peak reverse recovery current | 36A (25°C), 40A (125°C), 41A (150°C) |
| Рабочая температура перехода | -40 to +175°C |
| Diode continuous forward current | 40A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.90V to 2.35V (25°C), 2.15V (125°C), 2.20V (150°C) |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 1200V |
| Термосопротивление переход-среда | 40K/W |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.320K/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.810K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?