+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Транзисторный модуль IGBT DG40F12T2

Артикул:149183
У поставщика
У поставщиков
197 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:197 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1421,03
от 7397,12
от 13377,64
от 30363,16
от 60352,38
Описание

Транзисторный модуль IGBT DG40F12T2 производства STARPOWER предназначен для силовой электроники. Компонент рассчитан на работу в цепях с высокими коммутируемыми токами и напряжением, обеспечивая надежное переключение. Модули этой серии применяются в преобразователях частоты, сварочных инверторах и промышленных источниках бесперебойного питания.

Технические характеристики
Qg0.31µC
Cies4.14nF
Cres0.12nF
Ices1.0mA max
Iges400nA max
Tjop-40 to +175°C
Tstg-55 to +150°C
Rgint0Ω
RthJA40 K/W
Tjmax175°C
V ces1200V
V ges±20V
VRRM1200V
Ic 25c80A
Qr 25c2.3µC
Tf 25c15ns
Tr 25c35ns
Vf 25c1.80V typ, 2.25V max
Vge th5.2V min, 6.0V typ, 6.8V max
Eon 25c2.56mJ
Ic 100c40A
Irm 25c15A
КорпусDiscrete
Pd 175c707W
Qr 125c4.5µC
Qr 150c5.3µC
Tf 125c37ns
Tf 150c45ns
Tr 125c37ns
Tr 150c40ns
Vf 125c1.85V typ
Vf 150c1.85V typ
Eoff 25c1.48mJ
Eon 125c3.28mJ
Eon 150c3.52mJ
Erec 25c0.91mJ
Irm 125c23A
Irm 150c25A
Тип монтажаВыводной
Eoff 125c2.32mJ
Eoff 150c2.57mJ
Erec 125c1.72mJ
Erec 150c2.09mJ
Без свинцаДа
Td on 25c25ns
Размеры15.8±0.3 x 10.8±0.2 x 5.45±0.2 mm
Icm pulsed160A
Ifm pulsed160A
Rthjc igbt0.212 K/W
Td off 25c169ns
Td on 125c26ns
Td on 150c27ns
ТехнологияLow VCE(sat) Fast IGBT
Tsoldering260°C
Описание1200V/40A IGBT with Diode
АртикулDG40F12T2
Rthjc diode0.582 K/W
Td off 125c178ns
Td off 150c181ns
Vce sat 25c1.65V typ, 2.10V max
ПрименениеElectronic welder
ПроизводительDOSEMI
Vce sat 125c1.93V typ
Vce sat 150c1.97V typ
If continuous25A
Момент затяжки0.6 N.m
Тип упаковкиTube (туба)
Описание (англ.)IGBT, 1.2KV, 80A, 487W, TO-247
Напряжение, В1200
ТипIGBT
Ток, А40

Заметили ошибку в описании или параметрах?