Документация
Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/15А TO-247
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
25 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:25 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 142,19 |
| от 9 | 136,60 |
| от 18 | 131,20 |
| от 30 | 126,90 |
| от 90 | 124,55 |
Описание
Транзистор IGBT со встроенным диодом от STARPOWER рассчитан на напряжение 1200 В и ток 15 А. Компонент выполнен в корпусе TO-247 с технологией Trench для снижения потерь. Подходит для применения в силовых преобразователях, промышленной автоматике и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Технология | Trench IGBT |
| Gate charge | 0.12μC |
| Vce sat 25c | 1.75V typ, 2.20V max |
| Применение | Inverter for motor drive, AC and DC servo drive amplifier, Uninterruptible power supply |
| Vce sat 125c | 2.00V typ |
| Vce sat 150c | 2.05V typ |
| Fall time 25c | 142ns |
| Rise time 25c | 50ns |
| Fall time 125c | 186ns |
| Fall time 150c | 210ns |
| Rise time 125c | 56ns |
| Rise time 150c | 56ns |
| Момент затяжки | 0.6N.m |
| Вх. емкость | 1.55nF |
| Рассеиваемая мощность | 138W |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Recovered charge 25c | 1.4μC |
| Collector current 25c | 30A |
| Recovered charge 125c | 2.4μC |
| Recovered charge 150c | 2.8μC |
| Ток КЗ | 60A |
| Температура пайки | 260°C |
| Collector current 110c | 15A |
| Turn on delay time 25c | 47ns |
| Turn off delay time 25c | 191ns |
| Turn on delay time 125c | 47ns |
| Turn on delay time 150c | 47ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 1.0mA |
| Internal gate resistance | 0Ω |
| Pulsed collector current | 45A |
| Short circuit capability | 10μs |
| Turn off delay time 125c | 269ns |
| Turn off delay time 150c | 274ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200V |
| Diode forward voltage 25c | 1.85V typ, 2.30V max |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Diode forward voltage 125c | 1.90V typ |
| Diode forward voltage 150c | 1.95V typ |
| Turn on switching loss 25c | 1.11mJ |
| Reverse recovery energy 25c | 0.36mJ |
| Turn off switching loss 25c | 0.81mJ |
| Turn on switching loss 125c | 1.50mJ |
| Turn on switching loss 150c | 1.67mJ |
| Gate emitter leakage current | 400nA |
| Макс. температура перехода | 175°C |
| Reverse recovery energy 125c | 0.67mJ |
| Reverse recovery energy 150c | 0.78mJ |
| Обратная проходная емкость | 0.04nF |
| Turn off switching loss 125c | 1.18mJ |
| Turn off switching loss 150c | 1.32mJ |
| Описание (англ.) | 1200 V, 15 A Trench IGBT with integrated diode, TO‑247 |
| Diode maximum forward current | 45A |
| Gate emitter threshold voltage | 5.6V min, 6.2V typ, 6.8V max |
| Рабочая температура перехода | -40 to +175°C |
| Diode continuous forward current | 15A |
| Peak reverse recovery current 25c | 15A |
| Peak reverse recovery current 125c | 14A |
| Peak reverse recovery current 150c | 14A |
| Diode repetitive peak reverse voltage | 1200V |
| Термосопротивление переход-среда | 40K/W |
| Thermal resistance junction to case igbt | 1.080K/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 1.500K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?