Документация
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 25А TO-220
У поставщика
ПроизводительSTARPOWER
У поставщиков
54 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:54 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 190,98 |
| от 12 | 178,96 |
| от 23 | 169,17 |
| от 50 | 161,86 |
| от 100 | 156,43 |
Описание
Транзистор IGBT STARPOWER DG10X06T1 — мощный N-канальный ключ с напряжением 600 В и током 25 А. Модель оснащена встроенным обратным диодом и рассчитана на рассеиваемую мощность 196 Вт в корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания, сварочных инверторов и силовой промышленной автоматики.
Технические характеристики
| If | 25A |
| Qg | 0.07μC |
| Время хранения ts | 260°C |
| Ifm | 30A |
| Isc | 50A |
| Vrr | 600V |
| Cies | 1.16nF |
| Cres | 0.02nF |
| Tjop | -40 to +175°C |
| Tstg | -55 to +150°C |
| Vces | 600V |
| Vgss | ±20V |
| Rgint | 0Ω |
| RthJA | 62K/W |
| Ic 25c | 25A |
| Qr 25c | 0.55μC |
| Tf 25c | 68ns |
| Tj isc | 150°C |
| Tr 25c | 7ns |
| Eon 25c | 0.11mJ |
| Ic 100c | 19A |
| Irm 25c | 19.8A |
| Корпус | TO-220 |
| Pd 175c | 196W |
| Qr 125c | 0.84μC |
| Qr 150c | 1.21μC |
| Tf 125c | 104ns |
| Tf 150c | 108ns |
| Tr 125c | 10ns |
| Tr 150c | 11ns |
| Vcc isc | 360V |
| Eoff 25c | 0.19mJ |
| Eon 125c | 0.16mJ |
| Eon 150c | 0.18mJ |
| Erec 25c | 0.12mJ |
| Ices max | 1.0mA |
| Iges max | 400nA |
| Irm 125c | 20.9A |
| Irm 150c | 23.1A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Vces isc | 600V |
| Компонент | DG10X06T1 |
| Eoff 125c | 0.24mJ |
| Eoff 150c | 0.26mJ |
| Erec 125c | 0.22mJ |
| Erec 150c | 0.29mJ |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Td on 25c | 10ns |
| Icm pulsed | 30A |
| Rthjc igbt | 0.766K/W |
| Td off 25c | 80ns |
| Td on 125c | 10ns |
| Td on 150c | 10ns |
| Технология | Low VCE(sat) Fast IGBT |
| Vf 25c max | 1.65V |
| Vf 25c typ | 1.20V |
| Vge th max | 6.5V |
| Vge th min | 5.2V |
| Vge th typ | 5.8V |
| Описание | 600V/10A IGBT with Diode |
| Rthjc diode | 1.340K/W |
| Td off 125c | 96ns |
| Td off 150c | 100ns |
| Vf 125c typ | 1.10V |
| Vf 150c typ | 1.10V |
| Производитель | DOSEMI |
| Vcesat 25c max | 1.90V |
| Vcesat 25c typ | 1.45V |
| Момент затяжки | 0.6N.m |
| Vcesat 125c typ | 1.60V |
| Vcesat 150c typ | 1.70V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | 600 V, 25 A N‑channel IGBT with anti‑parallel diode, 196 W TO‑220 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?