Документация
DFS600HF17I3C2, SiC модуль, 1700V, 600A, полумост ED3S
У поставщика
ПроизводительLeapers
У поставщиков
3 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:3 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 199 755,00 |
| от 2 | 183 090,93 |
Описание
SiC-модуль Leapers DFS600HF17I3C2 выполнен в конфигурации полумоста на напряжение 1700 В и ток 600 А. Типовое сопротивление открытого канала составляет 3,4 мОм, корпус — на медном основании с прессфит-выводами. Применяется в мощных преобразователях, промышленных приводах и системах возобновляемой энергетики.
Технические характеристики
| CTI | 600 |
| Вес | 250g |
| Ntc b25 50 | 3375K |
| Ntc b25 80 | 3411K |
| Описание | Half Bridge SiC MOSFET Module |
| Ntc b25 100 | 3433K |
| Артикул | DFS600HF17I3C2 |
| Тип упаковки | Module with copper baseplate, pressfit terminals |
| Fall time 25c | 125ns |
| Rdson max 25c | 5.2mΩ |
| Rdson typ 25c | 3.4mΩ |
| Rise time 25c | 169ns |
| Fall time 150c | 156ns |
| Способ монтажа | Screw (THT pressfit) |
| Rdson typ 175c | 7.7mΩ |
| Rise time 150c | 138ns |
| Vds on typ 25c | 2.04V |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm (M5/M6) |
| Vds on typ 175c | 4.62V |
| Copper base size | 79mm x 62mm |
| Voltage blocking | 1700V |
| Current pulse 1ms | 1200A |
| Полный заряд затвора | 1536nC |
| Ntc resistance 25c | 5kΩ |
| Turn on energy 25c | 92.4mJ |
| Темп. хранения | -40°C to 125°C |
| Turn off energy 25c | 99.8mJ |
| Turn on energy 150c | 84.2mJ |
| Turn off energy 150c | 107.9mJ |
| Изол. напр. RMS | 4.0kV |
| Input capacitance ciss | 45.7nF |
| Module lead resistance | 0.5mΩ |
| Turn on delay time 25c | 229ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | 20V |
| Gate source voltage min | -10V |
| Output capacitance coss | 1.23nF |
| Общая рассеиваемая мощность | 3750W |
| Turn off delay time 25c | 766ns |
| Turn on delay time 150c | 183ns |
| Internal gate resistance | 0.32Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Turn off delay time 150c | 922ns |
| Current dc continuous 25c | 600A |
| Current dc continuous 80c | 475A |
| Gate source surge voltage | -10V to 20V (tsurge<300ns) |
| Module baseplate material | Cu |
| Reverse recovery time 25c | 58ns |
| Switching test conditions | VDD=900V, ID=600A, VGS=+15/-4V, RG(on)=RG(off)=6.8Ω, inductive load |
| Diode switching energy 25c | 0.68mJ |
| Reverse recovery time 150c | 191ns |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Diode switching energy 150c | 7.96mJ |
| Reverse recovery charge 25c | 3.37μC |
| Reverse recovery charge 150c | 19.38μC |
| Creepage terminal to heatsink | 14.5mm |
| Creepage terminal to terminal | 10mm |
| Body diode forward voltage 25c | 5.6V |
| Clearance terminal to heatsink | 12.5mm |
| Clearance terminal to terminal | 10mm |
| Рабочая температура перехода | -40°C to 150°C |
| Body diode forward voltage 150c | 5.1V |
| Gate source voltage recommended | -4V/+15V or -5V/+15V |
| Структура модуля | полумост |
| Thermal resistance case heatsink | 0.015K/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.040K/W |
| Reverse transfer capacitance crss | 0.22nF |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?