Документация
DFS02FB12HDB1, SiC модуль, 1200V, 800A, 3-фазный HPD SIC
У поставщика
ПроизводительLeapers
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 460 575,00 |
| от 2 | 422 137,78 |
Описание
SiC-модуль Leapers DFS02FB12HDB1 на 1200 В и 800 А выполнен в трёхфазном корпусе HPD. Оснащён SiC MOSFET с типовым сопротивлением 1,7 мОм, изолирован на 4,2 кВ и использует прямое охлаждение с никелированной медной подложкой Si3N4 AMB. Подходит для мощных преобразователей в промышленной автоматике и электроприводах.
Технические характеристики
| Вес | 798g |
| Охлаждение | Direct Cooled Pin Fin Base Plate |
| Подложка | Si3N4 AMB |
| Технология | Arcbonding |
| Серия | HPD |
| Mosfet type | SiC MOSFET |
| Артикул | DFS02FB12HDB1 |
| Тип упаковки | модуль |
| Fall time 25c | 85ns |
| Rise time 25c | 125ns |
| Способ монтажа | THT (Press Fit) |
| Ntc beta 25 50 | 3375K |
| Rds on typ 25c | 1.7mΩ |
| Rds on typ 175c | 4.0mΩ |
| Stray inductance | 8nH |
| Вх. емкость | 32nF |
| Напр. изоляции | 4.2kV |
| Полный заряд затвора | 1520nC |
| Baseplate material | Cu+Ni |
| Ntc resistance 25c | 5kΩ |
| Выходная емкость | 1.84nF |
| Turn on energy 25c | 42.9mJ |
| Phase configuration | 3-phase bridge |
| Pulse drain current | 1600A |
| Turn off energy 25c | 50.8mJ |
| Макс. рас. мощн. | 1923W |
| Момент затяжки винта | 1.8 to 2.2 Nm |
| Module lead resistance | 0.2mΩ |
| Turn on delay time 25c | 160ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | 23V |
| Gate source voltage min | -11V |
| Turn off delay time 25c | 340ns |
| Voltage drain source max | 1200V |
| Диап. темп. хр. | -40°C to 125°C |
| Диапазон темп. перехода | -40°C to 175°C |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Reverse recovery charge 25c | 2.83uC |
| Обратная проходная емкость | 0.176nF |
| Continuous drain current tc25 | 685A |
| Continuous drain current tc65 | 590A |
| Body diode forward voltage 25c | 4.9V |
| Clearance terminal to heatsink | 4.5mm |
| Gate source voltage recommended | -4V/+15V, -5V/+18V |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Thermal resistance junction to fluid | 0.078 K/W |
| Creepage distance terminal to heatsink | 9mm |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?