Документация
DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль, 1700V, 600A, Half Bridge, аналог для FF600R17ME4, = DFI600HF17I4RE1
У поставщика
ПроизводительLeapers
У поставщиков
18 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:18 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 14 386,50 |
| от 2 | 12 650,00 |
Описание
IGBT-модуль DFI600HF17I4RE2 от Leapers — мощный полумостовой ключ на напряжение 1700 В и ток 600 А. Компонент выполнен в корпусе для THT-монтажа с медным основанием и встроенным NTC-термистором. Применяется в промышленной автоматике, частотных преобразователях и мощных источниках питания.
Технические характеристики
| Тип | Half Bridge IGBT Module |
| Вес | 420g |
| Значение I²t | 36000A²s |
| Ntc b25 50 | 3375K |
| Ntc b25 80 | 3411K |
| Gate charge | 6.2µC |
| Ntc b25 100 | 3433K |
| Артикул | DFI600HF17I4RE1 |
| Способ монтажа | THT |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm |
| Блокирующее напряжение | 1700V |
| Fall time typ 25C | 370ns |
| Вх. емкость | 49.5nF |
| Rise time typ 25C | 125ns |
| Fall time typ 150C | 680ns |
| Rise time typ 150C | 188ns |
| Dc collector current | 650A |
| Diode forward current | 650A |
| Изол. напр. RMS | 3.4kV |
| Material of baseplate | Cu |
| Ntc deviation at 100C | 5% |
| Ntc power dissipation | 20mW |
| Ntc resistance at 25C | 5kΩ |
| Ток КЗ | 3000A |
| Module lead resistance | 0.8mΩ |
| Turn on energy typ 25C | 234mJ |
| Pulse collector current | 1300A |
| Макс. темп. хр. | 125°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Turn off energy typ 25C | 134mJ |
| Turn on energy typ 150C | 383mJ |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Internal gate resistance | 1.7Ω |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -40°C |
| Recovered charge typ 25C | 112µC |
| Turn off energy typ 150C | 205mJ |
| Maximum power dissipation | 3906W |
| Recovered charge typ 150C | 244µC |
| Индекс трекингостойкости | >225 |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 5.2V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.8V |
| Turn on delay time typ 25C | 205ns |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Turn off delay time typ 25C | 570ns |
| Turn on delay time typ 150C | 207ns |
| Обратная проходная емкость | 0.75nF |
| Turn off delay time typ 150C | 735ns |
| Diode forward voltage max 25C | 2.2V |
| Diode forward voltage typ 25C | 1.9V |
| Reverse recovery time typ 25C | 1.08µs |
| Clearance terminal to heatsink | 12.5mm |
| Clearance terminal to terminal | 10mm |
| Diode forward voltage typ 150C | 1.9V |
| Reverse recovery time typ 150C | 1.51µs |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.015°C/W |
| Структура модуля | полумост |
| Gate emitter leakage current max | 1.8µA |
| Reverse recovered energy typ 25C | 53mJ |
| Reverse recovered energy typ 150C | 125mJ |
| Collector emitter cutoff current max | 4.0mA |
| Diode repetitive peak forward current | 1300A |
| Peak reverse recovery current typ 25C | 270A |
| Creepage distance terminal to heatsink | 14.5mm |
| Creepage distance terminal to terminal | 13mm |
| Peak reverse recovery current typ 150C | 333A |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.032°C/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.042°C/W |
| Collector emitter saturation voltage max 25C | 1.9V |
| Collector emitter saturation voltage typ 25C | 1.6V |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?