Документация
DFI50PM12P4D1, IGBT модуль, 1200V, 50A, P4 Full Bridge, =FP150R12N3T7P_B11
У поставщика
ПроизводительLeapers
У поставщиков
4 шт.
Норм. уп.: 6
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:4 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 6
Минимальная партия: 60 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5 796,00 |
| от 6 | 5 506,67 |
Описание
IGBT-модуль Leapers DFI50PM12P4D1 — это силовой PIM-модуль на 1200 В и 50 А. Выполнен в корпусе с медным основанием и винтовыми клеммами, включает в себя IGBT, диоды, тормозной прерыватель и выпрямитель. Отличается низкими потерями и высокой устойчивостью к коротким замыканиям. Применяется в промышленной автоматике, частотных приводах и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| CTI | >200 |
| Вес | 300g |
| Тип монтажа | THT (screw) |
| Igbt main | Время спада: 330 ns (typ); Время нарастания: 35 ns (typ); Gate charge: 430 nC; Turn on energy: 3.9 mJ (typ, VCC=600V, IC=50A, RG=10Ω, inductive load); Turn off energy: 2.2 mJ (typ); Время задержки включения: 20 ns (typ, Tj=25°C); Время задержки выключения: 250 ns (typ); Dc collector current: 50A (at Tc=100°C); Макс. рас. мощн.: 365W; Gate threshold voltage: Max: 5.7V; Min: 4.5V; Typ: 5.0V; Input capacitance cies: 3.8 nF (VCE=25V, VGE=0V, f=1MHz); Output capacitance coes: 0.51 nF; Pulse collector current: 100A (tp=1ms); Internal gate resistance: 2.2 Ω; Gate emitter voltage rating: ±30V; Collector emitter voltage rating: 1200V; Тепловое сопр. переход-корпус: 0.343 °C/W; Reverse transfer capacitance cres: 0.33 nF; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Max 25C: 2.3V; Typ 25C: 2.1V; Typ 125C: 2.5V |
| Описание | 1200V/50A PIM IGBT Module |
| Артикул | DFI50PM12P4D1 |
| Тип упаковки | Module (PIM), baseplate Cu, screw terminals |
| Ntc thermistor | B25/50: 3375 K (typ); B25 80: 3410 K (typ); B25 100: 3433 K (typ); Deviation at 100C: -5% to 5%; Рассеиваемая мощность: 50 mW max; Resistance at 25C: 5 kΩ (typ) |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm (M5 screw) |
| Rectifier diode | Значение I²t: 880 A²s (Tj=25°C); Импульсный ток: 420A (tp=10ms, Tj=25°C); Прямое напряжение: Typ 25C: 1.05V; Typ 125C: 0.85V; Обратный ток: 1.0 mA (Tj=125°C); Повторяющееся импульсное обратное напряжение: 1800V; Тепловое сопр. переход-корпус: 0.85 °C/W; Maximum rms forward current per chip: 50A (at Tc=80°C); Maximum rms current at rectifier output: 100A (at Tc=80°C) |
| Напр. изоляции | 2.5 kV RMS (50Hz, 1min) |
| Brake chopper igbt | Время спада: 210 ns (typ); Время нарастания: 40 ns (typ); Gate charge: 140 nC; Turn on energy: 1.8 mJ (typ, VCC=600V, IC=25A, RG=13Ω, inductive load); Turn off energy: 1.7 mJ (typ); Время задержки включения: 20 ns (typ, Tj=25°C); Время задержки выключения: 280 ns (typ); Dc collector current: 25A (at Tc=100°C); Макс. рас. мощн.: 280W; Gate threshold voltage: Max: 5.7V; Min: 4.5V; Typ: 5.0V; Input capacitance cies: 1.08 nF (VCE=25V, VGE=0V, f=1MHz); Output capacitance coes: 0.17 nF; Pulse collector current: 50A (tp=1ms); Internal gate resistance: 8.0 Ω; Gate emitter voltage rating: ±30V; Collector emitter voltage rating: 1200V; Тепловое сопр. переход-корпус: 0.45 °C/W; Reverse transfer capacitance cres: 0.12 nF; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Max 25C: 2.3V; Typ 25C: 2.1V; Typ 125C: 2.5V |
| Freewheeling diode | Прямой ток: 50A; Прямое напряжение: Max 25C: 2.20V; Typ 25C: 1.90V; Typ 125C: 1.90V; Recovered charge: 3.00 µC (typ); Время обратного восстановления: 110 ns (typ, Tj=25°C); Reverse recovered energy: 0.80 mJ (typ); Peak reverse recovery current: 55A (typ); Повторяющийся пиковый прямой ток: 100A (tp=1ms); Повторяющееся импульсное обратное напряжение: 1200V; Тепловое сопр. переход-корпус: 0.652 °C/W |
| Temperature ranges | Темп. хранения: -40 to 125 °C; Темп. перехода: -40 to 150 °C |
| Дополнительные функции | Lower losses and higher energy, Excellent short circuit ruggedness, PIM module (includes IGBT, freewheeling diode, brake chopper, rectifier, NTC) |
| Brake chopper diode | Прямой ток: 25A; Прямое напряжение: Max 25C: 2.2V; Typ 25C: 1.90V; Typ 125C: 1.9V; Recovered charge: 1.3 µC (typ); Время обратного восстановления: 120 ns (typ, Tj=25°C); Reverse recovered energy: 0.4 mJ (typ); Peak reverse recovery current: 17A (typ); Повторяющийся пиковый прямой ток: 50A (tp=1ms); Повторяющееся импульсное обратное напряжение: 1200V; Тепловое сопр. переход-корпус: 1.31 °C/W |
| Module lead resistance | 0.8 mΩ (at 25°C) |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Creepage terminal to heatsink | 17 mm |
| Creepage terminal to terminal | 3.81 mm |
| Clearance terminal to heatsink | 17 mm |
| Clearance terminal to terminal | 3.81 mm |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?