Документация
DFI450HF17I4RE1P, IGBT модуль, 1700V, 450A, полумост press-fit
У поставщика
ПроизводительLeapers
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17 802,00 |
| от 2 | 16 340,82 |
Описание
IGBT модуль DFI450HF17I4RE1P от Leapers выполнен в конфигурации полумоста с технологией press-fit. Рассчитан на напряжение 1700 В и ток 450 А, оснащён встроенным NTC-термистором для контроля температуры. Применяется в мощных преобразователях частоты, промышленной автоматике и системах электропривода.
Технические характеристики
| CTI | >225 |
| Вес | 420g |
| Корпус | Half Bridge IGBT Module |
| Тип монтажа | винтовое |
| Значение I²t | 20000 A²s |
| Ntc b25 50 | 3375K |
| Ntc b25 80 | 3411K |
| Ntc b25 100 | 3433K |
| Igbt ices max | 1mA |
| Igbt iges max | 1.35µA |
| Igbt tf 25c typ | 405ns |
| Igbt tr 25c typ | 170ns |
| Igbt vge th max | 6.4V |
| Igbt vge th min | 5.2V |
| Igbt vge th typ | 5.8V |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm |
| Diode vf 25c max | 2.0V |
| Diode vf 25c typ | 1.76V |
| Igbt eon 25c typ | 205mJ |
| Igbt gate charge | 4.6µC |
| Igbt tf 150c typ | 680ns |
| Igbt tr 150c typ | 210ns |
| Voltage blocking | 1700V |
| Diode err 25c typ | 35mJ |
| Diode irm 25c typ | 199A |
| Diode qrr 25c typ | 79µC |
| Diode trr 25c typ | 1.09µs |
| Diode vf 150c typ | 1.74V |
| Igbt eoff 25c typ | 105mJ |
| Igbt eon 150c typ | 320mJ |
| Baseplate material | Cu |
| Diode err 150c typ | 90mJ |
| Diode irm 150c typ | 250A |
| Diode qrr 150c typ | 184µC |
| Diode trr 150c typ | 1.58µs |
| Igbt eoff 150c typ | 153mJ |
| Igbt td on 25c typ | 335ns |
| Ntc resistance 25c | 5kΩ |
| Igbt sc current typ | 2300A |
| Igbt td off 25c typ | 655ns |
| Igbt td on 150c typ | 360ns |
| Collector current dc | 500A |
| Igbt td off 150c typ | 800ns |
| Igbt vce sat 25c max | 1.9V |
| Igbt vce sat 25c typ | 1.6V |
| Diode forward current | 500A |
| Igbt vce sat 125c typ | 1.95V |
| Igbt vce sat 150c typ | 2.03V |
| Изол. напр. RMS | 4kV |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3125W |
| Igbt input capacitance | 36nF |
| Module lead resistance | 0.8mΩ |
| Collector current pulse | 1000A |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Диап. темп. хр. | -40 to 125°C |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Igbt internal gate resistor | 2.2Ω |
| Diode repetitive peak current | 1000A |
| Clearance terminal to heatsink | 12.5mm |
| Clearance terminal to terminal | 10mm |
| Структура модуля | полумост |
| Igbt reverse transfer capacitance | 1.15nF |
| Igbt thermal resistance case to sink | 0.015°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -40 to 150°C |
| Diode thermal resistance case to sink | 0.015°C/W |
| Creepage distance terminal to heatsink | 14.5mm |
| Creepage distance terminal to terminal | 13mm |
| Igbt thermal resistance junction to case | 0.04°C/W |
| Diode thermal resistance junction to case | 0.06°C/W |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?