Документация
DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль, 1700V, 450A, Half Bridge, = CM450DX-34T, FF450R17ME7_B11
У поставщика
ПроизводительLeapers
КатегорияIGBT модули
У поставщиков
59 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:39 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10 715,96 |
Склад 12
В наличии:20 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17 077,50 |
| от 2 | 15 608,82 |
Описание
IGBT-модуль Leapers DFI450HF17I4RE1 с конфигурацией полумоста на напряжение 1700 В и постоянный ток коллектора 450 А. Компонент рассчитан на импульсный ток до 1000 А, имеет медное основание и крепится винтами M5/M6. Применяется в мощных преобразователях частоты, промышленных приводах и сварочном оборудовании.
Технические характеристики
| If | 500A |
| Qg | 4.6 µC |
| CTI | >225 |
| I²t | 20000 A²s |
| Icm | 1000A |
| Isc | 2300A |
| Cies | 36 nF |
| Cres | 1.15 nF |
| Ices | 1 mA |
| Ifrm | 1000A |
| Iges | 1.35 µA |
| Тип | Half Bridge IGBT Module |
| Vces | 1700V |
| Vges | ±20V |
| Ic dc | 500A |
| Rgint | 2.2 Ω |
| Макс. Tj | 150°C |
| Вес | 420 g |
| Корпус | Module, baseplate Cu |
| Тип монтажа | THT (screw mount M5/M6) |
| Макс. Tstg | 125°C |
| Мин. Tstg | -40°C |
| Ntc b25 50 | 3375 K |
| Ntc b25 80 | 3411 K |
| Tf typ 25C | 405 ns |
| Tr typ 25C | 170 ns |
| Vge th max | 6.4V |
| Vge th min | 5.2V |
| Vge th typ | 5.8V |
| Eon typ 25C | 205 mJ |
| Err typ 25C | 35 mJ |
| Irm typ 25C | 199A |
| Ntc b25 100 | 3433 K |
| Артикул | DFI450HF17I4RE1 |
| Qrr typ 25C | 79 µC |
| Rth cs igbt | 0.015 °C/W |
| Rth jc igbt | 0.04 °C/W |
| Tf typ 150C | 680 ns |
| Tr typ 150C | 210 ns |
| Trr typ 25C | 1.09 µs |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9V |
| Vce sat typ | 1.6V |
| Eoff typ 25C | 105 mJ |
| Eon typ 150C | 320 mJ |
| Err typ 150C | 90 mJ |
| Irm typ 150C | 250A |
| Qrr typ 150C | 184 µC |
| Rth cs diode | 0.015 °C/W |
| Rth jc diode | 0.06 °C/W |
| Trr typ 150C | 1.58 µs |
| Vf diode max | 2.0V |
| Eoff typ 150C | 153 mJ |
| Td on typ 25C | 335 ns |
| Td off typ 25C | 655 ns |
| Td on typ 150C | 360 ns |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm |
| Td off typ 150C | 800 ns |
| Vf diode typ 25C | 1.76V |
| Напр. изоляции | 3.4 kV |
| Ntc resistance 25 | 5 kΩ |
| Vf diode typ 150C | 1.74V |
| Material baseplate | Cu |
| Ntc deviation r100 | ±5% |
| Ntc power dissipation | 20 mW |
| Module lead resistance | 0.8 mΩ |
| Gate charge voltage range | -15V to +15V |
| Creepage terminal heatsink | 14.5 mm |
| Creepage terminal terminal | 13 mm |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Clearance terminal heatsink | 12.5 mm |
| Clearance terminal terminal | 10 mm |
| Case temperature for ratings | 100°C |
| Switching test conditions rg | 3.3 Ω |
| Switching test conditions vcc | 900V |
| Maximum power dissipation igbt | 3125 W |
| Switching test conditions vge on off | +15V/-8V |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?