Документация
DFI450HF12I4ME1, IGBT модуль, 1200V, 450A, полумост ED3, = CM450DX-24T, FF450R12ME7_B11. FF450R12ME
У поставщика
ПроизводительLeapers
У поставщиков
10 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 14 800,50 |
| от 2 | 13 527,65 |
Описание
IGBT модуль DFI450HF12I4ME1 от Leapers. Компонент рассчитан на напряжение 1200 В и ток 450 А, выполнен в корпусе ED3 с конфигурацией полумост. Подходит для замены CM450DX-24T и FF450R12ME7_B11. Применяется в промышленной автоматике, силовых преобразователях и частотных приводах.
Технические характеристики
| Тип | IGBT Module |
| Вес | 420g |
| Корпус | Half Bridge IGBT Module (ED3) |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 113ns (Tj=25°C), 160ns (Tj=125°C), 255ns (Tj=175°C) |
| Время нарастания | 52ns (Tj=25°C), 54ns (Tj=125°C), 58ns (Tj=175°C) |
| Gate charge | 3.3uC |
| Артикул | DFI450HF12I4ME1 |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Ном. ток | 450A |
| Turn on energy | 45.2mJ (Tj=25°C), 63.53mJ (Tj=125°C), 78.9mJ (Tj=175°C) |
| Lead resistance | 0.8mΩ |
| Turn off energy | 35.38mJ (Tj=25°C), 43.99mJ (Tj=125°C), 52.21mJ (Tj=175°C) |
| Вх. емкость | 39nF |
| Напр. изоляции | 3.4kV |
| Ntc b value 25 50 | 3375K |
| Ntc b value 25 80 | 3411K |
| Рассеиваемая мощность | 3750W |
| Baseplate material | Cu |
| Ntc b value 25 100 | 3433K |
| Время задержки включения | 180ns (Tj=25°C), 191ns (Tj=125°C), 195ns (Tj=175°C) |
| Макс. момент затяжки | 6Nm |
| Mounting torque min | 3Nm |
| Время задержки выключения | 422ns (Tj=25°C), 480ns (Tj=125°C), 515ns (Tj=175°C) |
| Voltage blocking max | 1200V |
| Ntc resistance at 25C | 5kΩ |
| Threshold voltage max | 6.8V |
| Threshold voltage min | 5.0V |
| Voltage saturation max | 1.95V |
| Voltage saturation typ | 1.65V |
| Current collector pulse | 1200A |
| Макс. темп. хр. | 125°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Internal gate resistance | 1.5Ω |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -40°C |
| Voltage gate emitter max | ±20V |
| Индекс трекингостойкости | >200 |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Ток коллектора непрерывный | 600A |
| Обратная проходная емкость | 1.39nF |
| Creepage terminal to heatsink | 14.5mm |
| Creepage terminal to terminal | 13mm |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 1200V |
| Clearance terminal to heatsink | 12.5mm |
| Clearance terminal to terminal | 10mm |
| Структура модуля | полумост |
| Current diode forward continuous | 500A |
| Thermal resistance case to sink igbt | 0.02 °C/W |
| Current diode forward repetitive peak | 1000A |
| Thermal resistance case to sink diode | 0.022 °C/W |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.04 °C/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.07 °C/W |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?