Документация
DFI300HF17I4RE1, IGBT модуль, 1700V, 300A, ED3 Half Bridge, альтернатива для CM300DX-34T, CM300DX-34
У поставщика
ПроизводительLeapers
КатегорияIGBT модули
У поставщиков
22 шт.
Норм. уп.: 6
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:14 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6 400,31 |
Склад 12
В наличии:8 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 6
Минимальная партия: 60 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11 799,00 |
| от 6 | 10 205,70 |
Описание
IGBT модуль DFI300HF17I4RE1 от Leapers. Компонент рассчитан на напряжение 1700 В и ток 300 А, выполнен в корпусе ED3 Half Bridge с винтовыми клеммами. Модуль совместим по характеристикам с моделями CM300DX-34T и CM300DX-34. Применяется в промышленной автоматике, преобразователях частоты и мощных источниках питания.
Технические характеристики
| Вес | 420g |
| Корпус | Half Bridge IGBT module (ED3 style) |
| Тип монтажа | THT (screw terminals) |
| Размеры | not specified in datasheet |
| Ntc b25 50 | 3375K |
| Ntc b25 80 | 3411K |
| Описание | 1700V/300A Half Bridge IGBT Module |
| Gate charge | 3.1μC |
| Ntc b25 100 | 3433K |
| Артикул | DFI300HF17I4RE1 |
| Fall time 25C | 388ns |
| Rise time 25C | 166ns |
| Fall time 150C | 662ns |
| Rise time 150C | 201ns |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm (M5, M6) |
| Блокирующее напряжение | 1700V |
| Вх. емкость | 24nF (VCE=25V, f=1MHz) |
| Напр. изоляции | 3.4kV RMS (f=50Hz, t=1min) |
| Рассеиваемая мощность | 2083W (TC=25°C, Tj=150°C) |
| Baseplate material | Cu |
| Ntc resistance 25C | 5kΩ |
| Turn on energy 25C | 188.2mJ |
| Turn off energy 25C | 94.2mJ |
| Turn on energy 150C | 217.3mJ |
| Recovered charge 25C | 52μC |
| Switching conditions | VCC=900V, IC=300A, VGE=+15V/-8V, RG=3.3Ω, inductive load |
| Turn off energy 150C | 102.7mJ |
| Diode forward current | 300A |
| Recovered charge 150C | 129μC |
| Ток КЗ | 1600A (VGE<15V, VCC=1000V, tp<10μs, Tj=150°C) |
| Threshold voltage max | 6.4V |
| Threshold voltage min | 5.2V |
| Threshold voltage typ | 5.8V |
| Internal gate resistor | 3.3Ω |
| Module lead resistance | 0.8mΩ (TC=25°C) |
| Макс. напряж. насыщения | 1.9V (IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C) |
| Saturation voltage typ | 1.6V (IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C) |
| Turn on delay time 25C | 324ns |
| Pulse collector current | 600A (tp=1ms) |
| Turn off delay time 25C | 588ns |
| Turn on delay time 150C | 348ns |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Turn off delay time 150C | 709ns |
| Напр. диода макс. | 2.0V (IF=300A, Tj=25°C) |
| Тип. прямое напряжение диода | 1.76V (IF=300A, Tj=25°C) |
| Ntc power dissipation 25C | 20mW |
| Reverse recovery time 25C | 1.06μs |
| Диап. темп. хр. | -40 to 125°C |
| Индекс трекингостойкости | >225 |
| Диапазон темп. перехода | -40 to 150°C |
| Reverse recovery time 150C | 1.53μs |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Reverse recovery energy 25C | 48.0mJ |
| Continuous collector current | 320A (TC=100°C) |
| Reverse recovery energy 150C | 63.8mJ |
| Обратная проходная емкость | 0.77nF (VCE=25V, f=1MHz) |
| Creepage terminal to heatsink | 14.5mm |
| Creepage terminal to terminal | 13mm |
| Repetitive peak diode current | 600A (tp=1ms) |
| Clearance terminal to heatsink | 12.5mm |
| Clearance terminal to terminal | 10mm |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.015°C/W |
| Структура модуля | полумост |
| Gate emitter leakage current max | 0.9μA (VGE=20V, Tj=25°C) |
| Peak reverse recovery current 25C | 131A |
| Peak reverse recovery current 150C | 168A |
| Collector emitter leakage current max | 1mA (VCE=1700V, VGE=0V, Tj=25°C) |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.06°C/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.09°C/W |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?