Документация
DFI300HF17DF1, IGBT модуль, 1700V, 300A Half Bridge 62 mm
У поставщика
ПроизводительLeapers
КатегорияIGBT модули
У поставщиков
58 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:30 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5 047,64 |
Склад 12
В наличии:28 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11 281,50 |
| от 3 | 10 296,20 |
Описание
IGBT модуль DFI300HF17DF1 от Leapers. Работает при напряжении 1700 В и токе 300 А, рассеивает до 1100 Вт. Выполнен в стандартном корпусе 62 мм с медным основанием и изоляцией 4 кВ. Подходит для мощных преобразователей частоты и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Вес | 315g |
| Корпус | 62mm half bridge module |
| Тип монтажа | chassis mount |
| Компонент | DFI300HF17DF1 |
| Описание | 1700V/300A Half Bridge IGBT Module |
| Gate charge | 3000nC |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm |
| Fall time typ 25c | 220ns |
| Вх. емкость | 25nF |
| Напр. изоляции | 4.0kV |
| Rise time typ 25c | 80ns |
| Baseplate material | Cu |
| Fall time typ 125c | 380ns |
| Выходная емкость | 2.95nF |
| Rise time typ 125c | 70ns |
| Темп. хранения | -40 to 125°C |
| Макс. рас. мощн. | 1100W |
| Internal gate resistor | 3.52Ω |
| Module lead resistance | 0.8mΩ |
| Turn on energy typ 25c | 42mJ |
| Pulse collector current | 600A |
| Turn off energy typ 25c | 65mJ |
| Turn on energy typ 125c | 62mJ |
| Gate emitter voltage max | ±30V |
| Recovered charge typ 25c | 21.0uC |
| Turn off energy typ 125c | 82mJ |
| Recovered charge typ 125c | 40.0uC |
| Индекс трекингостойкости | >200 |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.7V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.5V |
| Turn on delay time typ 25c | 290ns |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Turn off delay time typ 25c | 670ns |
| Turn on delay time typ 125c | 110ns |
| Continuous collector current | 300A |
| Gate emitter leakage current | 400nA |
| Обратная проходная емкость | 2.3nF |
| Turn off delay time typ 125c | 740ns |
| Макс. напр. К-Э | 1700V |
| Diode forward voltage typ 25c | 2.5V |
| Reverse recovery time typ 25c | 140ns |
| Clearance terminal to heatsink | 29mm |
| Clearance terminal to terminal | 14mm |
| Diode forward voltage typ 125c | 2.6V |
| Рабочая температура перехода | -40 to 150°C |
| Reverse recovery time typ 125c | 270ns |
| Reverse recovery energy typ 25c | 12.5mJ |
| Структура модуля | полумост |
| Collector emitter cutoff current | 5mA |
| Reverse recovery energy typ 125c | 22.0mJ |
| Peak reverse recovery current typ 25c | 250A |
| Creepage distance terminal to heatsink | 47mm |
| Creepage distance terminal to terminal | 26mm |
| Peak reverse recovery current typ 125c | 280A |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.114°C/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.15°C/W |
| Collector emitter saturation voltage typ 25c | 2.40V |
| Collector emitter saturation voltage typ 125c | 2.80V |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?