Документация
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль, 1200V, 300A, полумост ED3, =CM300DX-24T, FF300R12ME7_B11
У поставщика
ПроизводительLeapers
КатегорияIGBT модули
У поставщиков
53 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:30 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10 867,50 |
| от 2 | 9 885,58 |
Склад 39
В наличии:23 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8 107,82 |
| от 2 | 7 832,46 |
| от 3 | 7 745,59 |
Описание
IGBT-модуль Leapers DFI300HF12I4ME1 на 1200 В и 300 А выполнен в корпусе полумоста ED3. Компонент совместим с аналогами CM300DX-24T и FF300R12ME7_B11, оснащён встроенным NTC-термистором для контроля температуры. Применяется в промышленной автоматике, силовых преобразователях и частотных приводах.
Технические характеристики
| CTI | >200 |
| Вес | 350g |
| Isc max | 1102A |
| Корпус | модуль |
| Ices max | 1mA |
| Iges max | 600nA |
| Тип монтажа | THT |
| Ntc b25 50 | 3375K |
| Ntc b25 80 | 3411K |
| Tf typ 25c | 165ns |
| Tr typ 25c | 30ns |
| Vf typ 25c | 2.0V |
| Vge th max | 6.8V |
| Vge th min | 5.0V |
| Vge th typ | 5.6V |
| Eon typ 25c | 7.2mJ |
| Err typ 25c | 12.1mJ |
| Irm typ 25c | 182A |
| Ntc b25 100 | 3433K |
| Qrr typ 25c | 40µC |
| Tf typ 125c | 178ns |
| Tf typ 150c | 189ns |
| Tr typ 125c | 35ns |
| Tr typ 150c | 40ns |
| Vf typ 125c | 1.7V |
| Vf typ 150c | 1.6V |
| Eoff typ 25c | 22.5mJ |
| Eon typ 125c | 9.6mJ |
| Eon typ 150c | 12.3mJ |
| Err typ 125c | 13.2mJ |
| Err typ 150c | 16.5mJ |
| Irm typ 125c | 192A |
| Irm typ 150c | 202A |
| Qrr typ 125c | 45.1µC |
| Qrr typ 150c | 48.2µC |
| Eoff typ 125c | 24.6mJ |
| Eoff typ 150c | 29.1mJ |
| Td on typ 25c | 125ns |
| Td off typ 25c | 300ns |
| Td on typ 125c | 136ns |
| Td on typ 150c | 149ns |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm |
| Td off typ 125c | 321ns |
| Td off typ 150c | 342ns |
| Vce sat typ 25c | 1.65V |
| Блокирующее напряжение | 1200V |
| Vce sat typ 125c | 1.85V |
| Vce sat typ 150c | 1.90V |
| Вх. емкость | 24.9nF |
| Напр. изоляции | 3.4KV |
| Baseplate material | Cu |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Diode forward current | 300A |
| Ntc resistance at 25c | 5kΩ |
| Internal gate resistor | 2.5Ω |
| Module lead resistance | 0.99mΩ |
| Pulse collector current | 600A |
| Maximum power dissipation | 1364W |
| Диап. темп. хр. | -40 to 125°C |
| Диапазон темп. перехода | -40 to 175°C |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Continuous collector current | 300A |
| Ntc power dissipation at 25c | 20mW |
| Обратная проходная емкость | 0.87nF |
| Clearance terminal to heatsink | 13mm |
| Clearance terminal to terminal | 10.5mm |
| Повторяющийся пиковый прямой ток | 600A |
| Структура модуля | полумост |
| Creepage distance terminal to heatsink | 14.5mm |
| Creepage distance terminal to terminal | 13mm |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.11°C/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.15°C/W |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?