Документация
DFI200HF17DF1, IGBT модуль, 1700V, 200A, 62mm, Half Bridge
У поставщика
ПроизводительLeapers
КатегорияIGBT модули
У поставщиков
49 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:39 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4 027,86 |
Склад 12
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8 590,50 |
| от 2 | 7 804,41 |
Описание
IGBT модуль DFI200HF17DF1 от Leapers в корпусе 62 мм. Рассчитан на напряжение 1700 В и ток 200 А, выполнен по схеме полумоста. Применяется в мощных инверторах, частотных приводах и ветрогенераторах.
Технические характеристики
| Вес | 315g |
| Корпус | 62mm half bridge module |
| Тип монтажа | THT |
| Vge th max | 5.7V |
| Vge th min | 4.5V |
| Описание | 1700V/200A Half Bridge IGBT Module |
| Gate charge | 2100nC |
| Артикул | DFI200HF17DF1 |
| Применение | Motor drive, Inverter, Power supply, Wind Turbines |
| Fall time 25c | 300ns |
| Rise time 25c | 72ns |
| Fall time 125c | 510ns |
| Rise time 125c | 70ns |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm |
| Vce sat typ 25c | 2.50V |
| Vce sat typ 125c | 2.80V |
| Вх. емкость | 18nF |
| Напр. изоляции | 4.0 kV |
| Baseplate material | Cu |
| Выходная емкость | 2.4nF |
| Turn on energy 25c | 27mJ |
| Turn off energy 25c | 40mJ |
| Turn on energy 125c | 40mJ |
| Recovered charge 25c | 11uC |
| Switching conditions | VCC=900V, RG=5.1Ω, VGE=±15V, inductive load |
| Turn off energy 125c | 55mJ |
| Макс. рас. мощн. | 890W |
| Recovered charge 125c | 25uC |
| Internal gate resistor | 2.75Ω |
| Module lead resistance | 0.8 mΩ |
| Turn on delay time 25c | 305ns |
| Pulse collector current | 400A |
| Turn off delay time 25c | 600ns |
| Turn on delay time 125c | 115ns |
| Gate emitter voltage max | ±30V |
| Turn off delay time 125c | 670ns |
| Reverse recovery time 25c | 105ns |
| Диап. темп. хр. | -40 to 125°C |
| Индекс трекингостойкости | >200 |
| Диапазон темп. перехода | -40 to 150°C |
| Reverse recovery time 125c | 180ns |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Continuous collector current | 200A |
| Reverse recovered energy 25c | 5.65mJ |
| Обратная проходная емкость | 1.3nF |
| Макс. напр. К-Э | 1700V |
| Diode forward voltage typ 25c | 2.5V |
| Reverse recovered energy 125c | 12.8mJ |
| Clearance terminal to heatsink | 29mm |
| Clearance terminal to terminal | 14mm |
| Diode forward voltage typ 125c | 2.4V |
| Peak reverse recovery current 25c | 185A |
| Peak reverse recovery current 125c | 220A |
| Thermal resistance junction case igbt | 0.140 °C/W |
| Creepage distance terminal to heatsink | 47mm |
| Creepage distance terminal to terminal | 26mm |
| Thermal resistance junction case diode | 0.160 °C/W |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?