Документация
DFI200HF12DF1, IGBT модуль, 1200V, 200A, 62mm Half Bridge
У поставщика
ПроизводительLeapers
КатегорияIGBT модули
У поставщиков
62 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:38 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3 721,16 |
Склад 12
В наличии:24 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7 866,00 |
| от 3 | 7 154,05 |
Описание
IGBT модуль DFI200HF12DF1 от Leapers рассчитан на напряжение 1200 В и постоянный ток 200 А. Компонент выполнен в стандартном корпусе 62 мм Half Bridge и поддерживает импульсный ток до 400 А. Применяется в сварочных аппаратах, инверторах, источниках питания и системах индукционного нагрева.
Технические характеристики
| CTI | >200 |
| VRRM | 1200V |
| Vc es | 1200V |
| Вес | 315g |
| Корпус | 62mm Half Bridge Module |
| Ic pulse | 400A |
| V ges max | ±30V |
| Размер винта | M6 |
| Rth jc igbt | 0.145°C/W |
| V ge th max | 5.7V |
| V ge th min | 4.5V |
| Применение | Welder, Inverter, Power supply, Inductive heating, UPS EPS |
| Rth jc diode | 0.157°C/W |
| Тип монтажа | THT |
| Qg gate charge | 1.74uC |
| Момент затяжки | 3 to 6 Nm |
| Switching speed | ultrafast |
| V cesat max 25c | 3.20V |
| V cesat typ 25c | 3.00V |
| Ic dc continuous | 200A |
| If diode forward | 200A |
| Tf fall time 25c | 110ns |
| Tr rise time 25c | 85ns |
| V cesat typ 125c | 3.60V |
| Tf fall time 125c | 130ns |
| Tr rise time 125c | 90ns |
| Material baseplate | Cu |
| Eon turn on loss 25c | 8.5mJ |
| Ices cut off current | 5mA |
| Ifrm repetitive peak | 400A |
| Iges leakage current | 400nA |
| Td on delay time 25c | 90ns |
| Eon turn on loss 125c | 10.5mJ |
| Изол. напр. RMS | 2.5KV |
| Td off delay time 25c | 670ns |
| Td on delay time 125c | 95ns |
| Cies input capacitance | 17.5nF |
| Eoff turn off loss 25c | 11.0mJ |
| Module lead resistance | 0.8mΩ |
| Td off delay time 125c | 725ns |
| Coes output capacitance | 2.4nF |
| Eoff turn off loss 125c | 14.0mJ |
| Макс. темп. хр. | 125°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -40°C |
| Pc max power dissipation | 860W |
| Qrr recovered charge 25c | 16.50nC |
| Short circuit ruggedness | excellent |
| Qrr recovered charge 125c | 26.50nC |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Rgint internal gate resistor | 2.5Ω |
| Vf diode forward voltage 25c | 1.9V |
| Creepage terminal to heatsink | 47mm |
| Creepage terminal to terminal | 26mm |
| Trr reverse recovery time 25c | 160ns |
| Vf diode forward voltage 125c | 1.9V |
| Clearance terminal to heatsink | 29mm |
| Clearance terminal to terminal | 14mm |
| Trr reverse recovery time 125c | 220ns |
| Err reverse recovered energy 25c | 5.50mJ |
| Vf diode forward voltage max 25c | 2.2V |
| Cres reverse transfer capacitance | 1.4nF |
| Err reverse recovered energy 125c | 9.00mJ |
| Irr peak reverse recovery current 25c | 170A |
| Irr peak reverse recovery current 125c | 210A |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?