Документация
Диодный мост DF10S-E3/77
У поставщика
У поставщиков
3 548 шт.
Норм. уп.: 1500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт28,50 ₽
Сумма855,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 548 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 30 штюрлицам и ИП
от 42 — 27,62 ₽ (−3%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 855,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 445,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
30 шт · Склад 13 · 855,00 ₽
Описание
Диодный мост Vishay DF10S-E3/77 рассчитан на ток 1,5 А и обратное напряжение до 1000 В. Выполнен в компактном корпусе DB-S, выдерживает импульсный ток до 50 А. Подходит для выпрямления в блоках питания бытовой и промышленной электроники.
Технические характеристики
| Тип | диодный мост |
| Серия | DF005S, DF01S, DF02S, DF04S, DF06S, DF08S, DF10S |
| Ток, А | 1.5 А |
| Корпус | DB-S |
| Напряжение, В | 1000 В |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | Как указано на корпусе |
| Уровень MSL | 1 |
| Тип корпуса | DFS |
| Размеры | Ширина: 0.205 in (5.2 mm) max; Высота: 0.130 in (3.3 mm) max; Длина: 0.404 in (10.26 mm) max; Шаг выводов: 0.060 in (1.524 mm) min; Расположение монтажных площадок: 0.404 in (10.26 mm) max x 0.205 in (5.2 mm) max |
| Ёмкость | 25 пФ |
| Описание | Miniature Glass Passivated Single-Phase Surface Mount Bridge Rectifier |
| Артикул | DF10S-E3/77 |
| Вес ед. | 0.399 g |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Vishay General Semiconductor |
| Тест на усы | JESD 201 class 1A |
| Базовая величина | 1500 |
| Способ поставки | 13" diameter paper tape and reel |
| Паяемость | J-STD-002 and JESD22-B102 |
| Импульсный ток | 50 А |
| Соотв. RoHS | Да |
| UL признание | File number E54214 |
| Прямое напряжение | 1.1 В |
| Обратный ток | 5.0 мкА |
| Покрытие выводов | Matte tin plated leads |
| Варианты диодов | Quad |
| Fusing condition | t < 8.3 ms |
| Номинал плавкой вставки | 10 A²s |
| Код маркировки | DF10S |
| Класс горючести | UL 94 V-0 |
| Lf peak temperature | 260 °C |
| Макс. RMS напряжение | 700V |
| Код корпуса | 77 |
| Условие импульсного тока | single half sine-wave superimposed on rated load |
| Условия прямого тока | at TA = 40 °C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150 °C |
| Имп. прямой ток | 50A |
| Макс. DC блокирующее напряжение | 1000V |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150 °C |
| Условия теплового сопротивления | units mounted on PCB with 0.51" x 0.51" (13 mm x 13 mm) copper pads |
| Условие падения прямого напряжения | at IF = 1.0 A |
| Условия измерения ёмкости перехода | measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 15 °C/Вт |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150 °C |
| Термосопротивление переход-среда | 40 °C/Вт |
| Тип. ёмкость перехода на диод | 25 pF |
| Макс. повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1000V |
| Maximum dc reverse current per diode at 25c | 5.0 µA |
| Тип. тепловое сопротивление переход-вывод | 15 °C/W |
| Maximum dc reverse current per diode at 125c | 500 µA |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 40 °C/W |
| Maximum average forward output rectified current | 1.0A |
| Макс. импульсное падение напряжения на диод | 1.1V |
| Обратное напряжение, В | 1000 |
| Прямой ток, А | 1,5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?