+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
DF08S
Документация

Диодный мост 1.5А 800В DF08S

Артикул:790833
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
1 075 шт.
Норм. уп.: 1500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 816,60 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 483,40 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
30 шт · Склад 13 · 816,60 ₽
Описание

Диодный мост DF08S от ON Semiconductor рассчитан на ток до 1.5 А и обратное напряжение 800 В. Компонент выполнен в компактном SMD-корпусе DFS для поверхностного монтажа. Подходит для выпрямления переменного напряжения в блоках питания бытовой электроники и промышленной автоматики.

Технические характеристики
СемействоDF005S - DF10S
КорпусDFS
Тип монтажаSMD
Маркировка сверхуDF08S
Без свинцаДа
ОписаниеBridge Rectifiers
АртикулDF08S
Метод упаковкилента и катушка
Соотв. RoHSДа
Сертификация ULUL #E258596
Рассеиваемая мощность3.1W
Qualified solderingIR Reflow and Wave Soldering
Junction passivationGlass Passivated
ПримечаниеДиодный мост 1.5А 800В
Номинал I²t плавления10 A2s
Зелёный компаундIEC61249
Типовое прямое напряжение0.94V
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Прямое напряжение на элемент1.1V
Reverse current per element5.0µA
Typical capacitance per leg25pF
Описание (англ.)DIODE BRIDGE 800V 1.5A 4-SMD
Dc reverse voltage at rated ir800V
Рабочая температура перехода-55 to +150°C
I2t rating for fusing conditiont < 8.35 ms
Макс. входное напряжение моста, RMS560V
Средний выпрямленный прямой ток1.5A
Typical forward voltage conditionat 1.5A, 25°C
Макс. повторяющееся обратное напряжение800V
Reverse current per element at 125c500µA
Forward voltage per element conditionIF = 1.5A, TA = 25°C
Reverse current per element conditionat Rated VR, TA = 25°C
Typical capacitance per leg conditionVR = 4.0V, f = 1.0MHz
Неповтор. импульсный ток50A
Thermal characterization junction to lead27°C/W
Условия среднего выпрямленного токаat TA = 40°C
Thermal resistance junction to ambient single die62°C/W
Non repetitive peak forward surge current condition8.3 ms Single Half-Sine Wave
Thermal resistance junction to ambient multi die max land50°C/W
Thermal resistance junction to ambient multi die min land105°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?