Документация
Транзистор CSD19531KCS
У поставщика
У поставщиков
170 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:170 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 5 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 316,25 |
| от 50 | 316,25 |
Описание
Транзистор CSD19531KCS производства Texas Instruments — мощный N-канальный MOSFET, выполненный в корпусе TO-220. Компонент оптимизирован для высокоэффективных силовых преобразователей и систем управления питанием. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой коммутационной способностью, что обеспечивает снижение потерь при работе в импульсных источниках питания и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-220-3 |
| Время спада | 4.1ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 7.2ns |
| Без галогенов | Да |
| Тип монтажа | THT |
| Output charge | 98nC |
| Соотв. RoHS | Да |
| Transconductance | 137S |
| Рассеиваемая мощность | 214W |
| Время задержки включения | 8.4ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 16ns |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 285A |
| Входная емкость макс. | 3870pF |
| Тип. входная емкость | 2980pF |
| Время обратного восстановления | 83ns |
| Макс. выходная емкость | 728pF |
| Выходная емкость тип. | 560pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 270nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate charge at threshold | 7.3nC |
| Напр. диода макс. | 1V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.9V |
| Gate charge gate to drain | 7.5nC |
| Gate charge total max 10v | 49nC |
| Gate charge total typ 10v | 38nC |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Gate charge gate to source | 11.9nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.2V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.7V |
| Series gate resistance max | 2.6Ω |
| Series gate resistance typ | 1.3Ω |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
| Avalanche energy single pulse | 180mJ |
| Reverse transfer capacitance max | 17pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 13pF |
| Drain source on resistance max 6v | 8.8mΩ |
| Drain source on resistance typ 6v | 7.3mΩ |
| Drain source on resistance max 10v | 7.7mΩ |
| Drain source on resistance typ 10v | 6.4mΩ |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.7°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Continuous drain current package limited 25c | 100A |
| Continuous drain current silicon limited 25c | 110A |
| Continuous drain current silicon limited 100c | 78A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?