+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
CRCW06031K00JNEA
Документация

Толстопленочный ЧИП-резистор 0603 1кОм ±5% 0.1Вт -55°С...+155°С

Артикул:790272
У поставщика
ПроизводительVishay
У поставщиков
36 707 шт.
Норм. уп.: 5000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 940,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 360,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
2 000 шт · Склад 13 · 940,00 ₽
Описание

Толстопленочный чип-резистор от Vishay в корпусе 0603. Имеет сопротивление 1 кОм с допуском ±5% и мощность 0,1 Вт. Работает в широком диапазоне температур от -55 до +155 °C. Подходит для поверхностного монтажа в промышленной автоматике и автомобильной электронике.

Технические характеристики
Сопротивление1kOhm
Корпус0603
МонтажSMD
Рабочая температура-55°C ~ 155°C
T10.3mm
T20.3mm
ТКС±200 ppm/K
МодельCRCW0603
Шаг2mm
Ширина0.85mm
Высота0.45mm
Длина1.55mm
СерияD/CRCW e3
Вес2mg
AEC-Q200qualified
Количество5000, 10000, 20000, 50000
УпаковкаPaper tape acc. to IEC 60068-3 Type I
Размер в дюймах0603
Устойчивость1% for 1000h at 70°C
Размер, метрический1608
Интенсивность отказов<0.1 x 10^-9 h^-1
Диаметр катушки180mm/7in, 285mm/11.25in, 330mm/13in
Диапазон сопротивлений1R0 to 10M
Контактная площадка волновой пайки A0.9mm
Контактная площадка волновой пайки B0.9mm
Контактная площадка волновой пайки L1.0mm
Ширина несущей ленты8mm
Напр. изоляции>100V
Покрытие выводовPure tin
Контактная площадка оплавления A0.5mm
Контактная площадка оплавления B0.9mm
Контактная площадка оплавления L1.0mm
Допуск сопротивления±5%
Примечаниечип 0603 1.00К 5%
Сопр. изоляции>10^9 Ohm
Номинальная рассеиваемая мощность (P70)0.1W
Zero ohm resistor imax2.0A
Zero ohm resistor rmax20 mOhm
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Напряжение ограничения75V
Категория температурного диапазона-55°C to +155°C
Описание (англ.)Res Thick Film 0603 1K Ohm 5% 0.1W(1/10W) ±200ppm/C Pad SMD Automotive T/R

Заметили ошибку в описании или параметрах?