Документация
Транзистор биполярный ВЧ NPN 15В 0.05А 250мВт 1.45ГГц 3-Pin SOT-523 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительCSC
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
468 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:468 шт
Срок поставки: до недели
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 40,65 |
| от 9 | 39,65 |
| от 16 | 38,21 |
| от 32 | 36,54 |
| от 63 | 34,71 |
Описание
Транзистор биполярный ВЧ NPN от производителя CSC. Работает при напряжении до 15 В, токе до 0,05 А и мощности 250 мВт, частота переключения достигает 1,45 ГГц. Выполнен в компактном корпусе SOT-523 для поверхностного монтажа. Подходит для высокочастотных схем в радиоаппаратуре и телекоммуникационном оборудовании.
Технические характеристики
| Корпус | SC-75 (SOT523) |
| Тип монтажа | SMD |
| Lead code | 1: Base; 2: Emitter; 3: Collector |
| Тип корпуса | SOT-523 |
| Применение | low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications |
| Код маркировки | HC7 |
| Тип продукта | NPN Silicon RF Transistor |
| Power gain gpe | 15dB |
| Noise figure nf | 4.5dB |
| Рассеиваемая мощность | 250mW |
| Dc current gain hfe | 25 |
| Граничная частота ft | 1450MHz |
| Тип упаковки | Tape |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 2.5V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 20V |
| Continuous collector current | 50mA |
| Описание (англ.) | RF BJT NPN 15V 0.05A 250mW 3-Pin SOT-523 T/R |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 20nA |
| Small signal current gain hfe | 25 |
| Collector base capacitance ccb | 1.0pF |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 15V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500°C/W |
| Emitter base breakdown voltage bvebo | 2.5V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo | 20V |
| Base emitter saturation voltage vbe sat | 1.0V |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -65 to +150°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo | 15V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | 0.4V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?