+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
CM600DX-34T#111G
Документация

CM600DX-34T#111G, IGBT модуль 600 Ампер 1700 Вольт T-Серия=GD600HFX170C6S,FF600R17ME4

Артикул:1208055
У поставщика
ПроизводительMitsubishi
У поставщиков
210 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:210 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 119 561,50
от 1017 680,31
Описание

Силовой IGBT-модуль Mitsubishi серии T, рассчитанный на ток 600 А и напряжение 1700 В. Выполнен в плоском корпусе с медным основанием и никелевым покрытием, имеет конфигурацию полумоста с встроенным NTC-термистором. Применяется в управлении двигателями переменного тока, сервоприводах и источниках питания.

Технические характеристики
Масса300g
СерияT-series
ПрименениеAC Motor Control, Motion/Servo Control, Power supply
Тип корпусаFlat base, copper base plate, nickel-plated
Макс. время спада600ns
Тип монтажаTHT (screw terminals)
Тип упаковкиDX (solder pin) or DXP (pressfit pin)
Макс. время нарастания200ns
UL признанYes (UL1557)
Ntc b constant3375K
Соотв. RoHSДа
Gate charge typ4.7μC
Напр. изоляции4000V RMS
Темп. хранения-40°C to +125°C
Collector current dc600A
Входная емкость макс.160nF
Gate threshold voltage5.4V to 6.6V
Internal configurationDual switch (half-bridge) with NTC thermistor
Ntc resistance 25c typ5.00kΩ
Макс. выходная емкость4.3nF
Время вкл. макс.800ns
Collector current pulse1200A
Общая рассеиваемая мощность2830W
Макс. время выключения800ns
Gate emitter voltage max±20V
Макс. темп. перехода175°C
Mounting torque heatsink2.5 N·m to 3.5 N·m
Ntc resistance 25c range4.85kΩ to 5.15kΩ
Напряжение коллектор-эмиттер1700V
Макс. время обрат. восстановления300ns
Макс.напр.к-э,В1700
Reverse recovery energy typ78mJ
Internal gate resistance typ1.3Ω
Internal lead resistance typ0.71mΩ
Turn on switching energy typ117.4mJ
Turn off switching energy typ143.7mJ
Mounting torque main terminals3.5 N·m to 4.5 N·m
Рабочая температура перехода-40°C to +150°C
Saturation voltage chip 25c max2.35V
Saturation voltage chip 25c typ1.95V
Структура модуляполумост
Reverse transfer capacitance max1.4nF
Saturation voltage chip 125c typ2.35V
Saturation voltage chip 150c typ2.45V
Saturation voltage terminal 25c max2.50V
Saturation voltage terminal 25c typ2.10V
Saturation voltage terminal 125c typ2.50V
Saturation voltage terminal 150c typ2.60V
Contact thermal resistance grease typ11.5K/kW
Contact thermal resistance pc tim typ3.1K/kW
Thermal resistance junction to case igbt max53K/kW
Thermal resistance junction to case diode max81K/kW
Номинальный ток одиночного тр-ра,А600

Заметили ошибку в описании или параметрах?