Документация
CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В
У поставщика
ПроизводительMitsubishi
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 12 834,00 |
| от 2 | 11 773,23 |
Описание
IGBT-модуль Mitsubishi CM400ST-24S1 в конфигурации «четверной мост» и AC-переключатель. Рассчитан на ток 400 А и напряжение до 1200 В (мост) / 650 В (AC-переключатель), корпус с медным основанием и лужеными выводами для монтажа в отверстия. Оснащён встроенным NTC-термистором для контроля температуры. Применяется в мощных преобразователях частоты, промышленных приводах и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Тип | IGBT Module (Bridge & AC Switch) |
| Корпус | Flat base, Copper base plate, Tin plating pin terminals, Fourpack (Bridge & AC Switch) |
| Тип монтажа | THT |
| UL признан | UL1557, File E323585 |
| Название компонента | CM400ST-24S1 |
| Ntc thermistor | B constant 25 50: 3375 K; Мощн. рас. 25°C: 10 mW max; Zero power resistance 25c: 5.00 kΩ typ |
| Предельные значения | Напр. изоляции: 4000V RMS (1 min, 60Hz); Emitter current dc: 400A; Макс. темп. корпуса: 125°C; Emitter current pulse: 800A; Collector current pulse: 800A; Gate emitter voltage max: ±20V; Макс. темп. перехода: 175°C; Диап. темп. хр.: -40°C to 125°C; Collector current dc bridge: 400A (TC=103°C); Collector current dc ac switch: 400A (TC=95°C); Total power dissipation bridge: 2340W (TC=25°C); Collector emitter voltage bridge: 1200V; Total power dissipation ac switch: 1415W (TC=25°C); Collector emitter voltage ac switch: 650V; Диапазон темп. перехода: -40°C to 150°C |
| Описание | IGBT Modules IGBT MODULE 3-LEVEL PHASE LEG |
| Тепловое сопротивление | Junction to case fwd bridge: 0.105 K/W max; Junction to case igt bridge: 0.064 K/W max; Junction to case igt ac switch: 0.106 K/W max |
| Электрические характеристики | Bridge: Gate charge: 840 nC; Макс. время спада: 150 ns; Макс. время нарастания: 200 ns; Вх. емкость: 40 nF; Выходная емкость: 8.0 nF; Время вкл. макс.: 700 ns; Макс. время выключения: 600 ns; Reverse recovery energy typ: 7.0 mJ (Tvj=150°C); Internal gate resistance typ: 4.9 Ω; Internal lead resistance max: 0.25 mΩ; Обратная проходная емкость: 0.67 nF; Turn on switching energy typ: 17.0 mJ (Tvj=150°C); Turn off switching energy typ: 23.5 mJ (Tvj=150°C); Collector emitter saturation voltage typ 25c: 1.80V (Terminal), 1.70V (Chip) at IC=400A, VGE=15V; Collector emitter saturation voltage typ 125c: 2.00V (Terminal), 1.90V (Chip); Collector emitter saturation voltage typ 150c: 2.05V (Terminal), 1.95V (Chip); Ac switch: Gate charge: 1450 nC; Макс. время спада: 300 ns; Макс. время нарастания: 150 ns; Вх. емкость: 48 nF; Выходная емкость: 3.1 nF; Время вкл. макс.: 350 ns; Макс. время выключения: 500 ns; Reverse recovery energy typ: 15.3 mJ (Tvj=150°C); Internal gate resistance typ: 1.5 Ω; Internal lead resistance max: 0.25 mΩ; Обратная проходная емкость: 0.9 nF; Turn on switching energy typ: 0.2 mJ (Tvj=150°C); Turn off switching energy typ: 21.2 mJ (Tvj=150°C); Collector emitter saturation voltage typ 25c: 1.35V (Terminal), 1.25V (Chip) at IC=400A, VGE=15V; Collector emitter saturation voltage typ 125c: 1.43V (Terminal), 1.33V (Chip); Collector emitter saturation voltage typ 150c: 1.45V (Terminal), 1.35V (Chip); Gate emitter threshold voltage: 5.4V to 6.6V |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Recommended operating conditions | Gate on voltage: 13.5V to 16.5V; Supply voltage bridge max: 425V; Supply voltage ac switch max: 360V; External gate resistance bridge: 1.6Ω to 16Ω; External gate resistance ac switch: 0Ω to 16Ω |
| Защита от перегрева | нет |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?