Документация
CM300DXP-24T#131G, IGBT модуль 300 Ампер 1200 Вольт T-Серия Pressfit
У поставщика
ПроизводительMitsubishi
У поставщиков
150 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:150 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 13 972,50 |
| от 10 | 10 512,08 |
Описание
IGBT-модуль Mitsubishi серии T с номинальным током 300 А и напряжением 1200 В. Выполнен в плоском корпусе с никелированной медной основой и пресс-фит выводами для монтажа без пайки. Обеспечивает изоляцию 2500 В RMS и низкие времена переключения. Применяется в силовых преобразователях, промышленных приводах и источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики
| Масса | 300g |
| Тип | IGBT Module, Dual Switch (Half-Bridge) with Pressfit Terminals |
| Корпус | Flat base type, copper base plate (nickel-plated), pressfit pin terminals |
| Тип монтажа | THT (Pressfit) |
| Время спада | 400 ns |
| Время нарастания | 200 ns |
| Размеры | 107mm x 62mm x 30mm (approximate from outline drawing) |
| Серия | T-series |
| Gate charge | 2.26 μC |
| Название компонента | CM300DXP-24T#131G |
| Ном. напряжение | 1200V |
| Напр. изоляции | 2500V RMS |
| Время задержки включения | 600 ns |
| Base plate flatness | +0 to +200 μm |
| Темп. хранения | -40 to +125°C |
| Время задержки выключения | 800 ns |
| Макс. темп. корпуса | 125°C |
| Collector current dc | 300A |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Время обратного восстановления | 400 ns |
| Input capacitance cies | 72.8 nF |
| Collector current pulse | 600A |
| Output capacitance coes | 2.1 nF |
| Заряд обратного восстановления | 23.4 μC |
| Reverse recovery energy | 20.5 mJ |
| Общая рассеиваемая мощность | 1700W |
| Internal gate resistance | 1.0 Ω |
| Internal lead resistance | 0.88 mΩ |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Turn on switching energy | 35 mJ |
| Ntc thermistor b constant | 3375K |
| Turn off switching energy | 30.7 mJ |
| Тип. пороговое Uзи | 6.0V |
| Макс.напр.к-э,В | 6500 |
| Mounting torque to heatsink | 3.0 N·m |
| Clearance terminal to terminal | 10 mm |
| Mounting torque main terminals | 4.0 N·m |
| Рабочая температура перехода | -40 to +150°C |
| Структура модуля | полумост |
| Clearance terminal to base plate | 16.2 mm |
| Ntc thermistor power dissipation | 10 mW |
| Ntc thermistor resistance at 25c | 5.00 kΩ |
| Reverse transfer capacitance cres | 0.9 nF |
| Thermal resistance case to heatsink | 11.5 K/kW |
| Emitter collector voltage fwd typ 25c | 1.60V |
| Creepage distance terminal to terminal | 17 mm |
| Thermal resistance junction to case fwd | 115 K/kW |
| Creepage distance terminal to base plate | 16.8 mm |
| Thermal resistance junction to case igbt | 88 K/kW |
| Collector emitter saturation voltage typ 25c | 1.60V |
| Collector emitter saturation voltage typ 125c | 1.80V |
| Collector emitter saturation voltage typ 150c | 1.85V |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?