+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
CM300DX-24T#111G
Документация

CM300DX-24T#111G, IGBT модуль 300 Ампер 1200 Вольт T-Серия =GD300HFY120C6S,FF300R12ME4

Артикул:1208047
У поставщика
ПроизводительMitsubishi
У поставщиков
480 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:480 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 2 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 112 730,50
от 1010 172,98
Описание

IGBT модуль Mitsubishi серии T на 300 Ампер и 1200 Вольт. Выполнен в корпусе с плоским никелированным медным основанием и лужеными выводами для монтажа THT. Конфигурация — полумост (два ключа), изоляция 2500 В RMS. Применяется в мощных преобразователях частоты, сварочных инверторах и промышленной автоматике.

Технические характеристики
Масса300 g
ТипIGBT Module
КорпусFlat base, copper base plate nickel-plated, tin-plated terminals
Время спада400 ns
Время нарастания200 ns
РазмерыSee outline drawing in datasheet
СерияT-series
Gate charge2.26 μC
АртикулCM300DX-24T
КонфигурацияHalf-bridge (dual switch)
Тип монтажаTHT
Turn on energy35 mJ
Turn off energy30.7 mJ
Вх. емкость72.8 nF
Напр. изоляции2500V RMS
Ntc resistance 25C5.00 kΩ
Выходная емкость2.1 nF
Время задержки включения600 ns
Base plate flatness+0 to +200 μm (concave)
Темп. хранения-40°C to +125°C
Время задержки выключения800 ns
Макс. темп. корпуса125°C
Collector current dc300A
Ntc b constant 25 503375 K
Ntc power dissipation10 mW
Время обратного восстановления400 ns
Threshold voltage max6.6V
Threshold voltage min5.4V
Threshold voltage typ6.0V
Collector current pulse600A
Заряд обратного восстановления23.4 μC
Reverse recovery energy20.5 mJ
Общая рассеиваемая мощность1700W
Gate emitter voltage max±20V
Internal gate resistance1.0 Ω
Internal lead resistance0.88 mΩ
Макс. темп. перехода175°C
Напряжение коллектор-эмиттер1200V
Saturation voltage max 25C2.00V
Saturation voltage typ 25C1.60V
Макс.напр.к-э,В1200
Mounting torque to heatsink2.5 to 3.5 N·m (M5 screw)
Saturation voltage typ 125C1.80V
Saturation voltage typ 150C1.85V
Обратная проходная емкость0.9 nF
Diode forward voltage max 25C2.20V
Diode forward voltage typ 25C1.60V
Mounting torque main terminals3.5 to 4.5 N·m (M6 screw)
Рабочая температура перехода-40°C to +150°C
Структура модуляполумост
Contact thermal resistance grease11.5 K/kW
Contact thermal resistance pc tim3.1 K/kW
Creepage distance terminal to terminal17 mm
Clearance distance terminal to terminal10 mm
Thermal resistance junction to case fwd115 K/kW
Creepage distance terminal to base plate16.4 mm (DX) / 16.8 mm (DXP)
Thermal resistance junction to case igbt88 K/kW
Clearance distance terminal to base plate16.2 mm
Номинальный ток одиночного тр-ра,А300

Заметили ошибку в описании или параметрах?