Документация
ТИРИСТОРЫ CLA50E1200HB
У поставщика
ПроизводительLITTELFUSE
КатегорияIGBT модули
У поставщиков
594 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:309 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 407,95 |
| от 6 | 384,93 |
| от 12 | 366,17 |
| от 30 | 352,23 |
| от 60 | 341,86 |
Склад 15
В наличии:285 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 5
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 5 | 272,43 |
Описание
Тиристор CLA50E1200HB от Littelfuse — мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации больших токов в силовых цепях. Отличается высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам, что делает его востребованным в промышленной электронике. Применяется в схемах управления двигателями, источниках бесперебойного питания и преобразователях энергии.
Технические характеристики
| Тип | Thyristor (SCR) |
| Мощность, Вт | 0,5 |
| Fusing | I2t 10ms 50hz 45c: 2.12kA^2s; I2t 10ms 50hz 150c: 1.54kA^2s; I2t 8.3ms 60hz 45c: 2.04kA^2s; I2t 8.3ms 60hz 150c: 1.48kA^2s |
| Тип | IGBT |
| Ток, А | 50 A |
| Корпус | TO-247 |
| Backside | anode |
| Тип монтажа | Выводной |
| Additional | RoHS: Соответствует; Частота: 50/60Hz; Применение: line rectifying, softstart AC motor control, DC motor control, power converter, AC power control, lighting and temperature control; Epoxy ul94v0: Да; Similar part: CLA50E1200TC TO-268AA (D3Pak) 1200V; Equivalent circuit simulation: RS: 5.2mOhm; Tj: 150C; VT0: 0.88V |
| Ёмкость | Test condition: VR=400V, f=1MHz, Tj=25C; Емкость перехода: 25pF |
| Описание | High Efficiency Thyristor, Single Thyristor, 1200V, 50A |
| Размеры мм | A: 4.70-5.30; D: 20.79-21.45; E: 15.48-16.24; L: 19.80-20.30; P: 3.55-3.65; Q: 5.38-6.19; S: 6.14 BSC; B: 0.99-1.40; C: 0.38-0.89; E: 5.46 BSC; A1: 2.21-2.59; A2: 1.50-2.49; D1: 13.07 min; D2: 0.51-1.35; E1: 13.45 min; E2: 4.31-5.48; L1: 0-4.49; P1: 7.39 max; B2: 1.65-2.39; B4: 2.59-3.43 |
| Название компонента | CLA50E1200HB |
| Current ratings | I gd: 3mA; I tav: 50A; I trms: 79A; I gt 25c: 50mA; I gt -40c: 80mA; I holding: 100mA; I latching: 125mA; I tsm 50hz 10ms 45c: 650A; Reverse leakage 25c: 50uA; I tsm 50hz 10ms 150c: 555A; I tsm 60hz 8.3ms 45c: 700A; Reverse leakage 125c: 4mA; I tsm 60hz 8.3ms 150c: 595A |
| Voltage ratings | V drm: 1200V; V dsm: 1300V; VRRM: 1200V; V rsm: 1300V; V threshold t0 150c: 0.88V; Gate trigger voltage 25c: 1.5V; Gate trigger voltage -40c: 1.6V; V forward drop at 50a 25c: 1.32V; V forward drop at 100a 25c: 1.60V; V forward drop at 50a 125c: 1.27V; V forward drop at 100a 125c: 1.65V; Gate non trigger voltage 150c: 0.2V |
| Package mechanical | Вес: 6g; Корпус: TO-247; Тип монтажа: THT; Момент затяжки: 0.8-1.2Nm; Terminal rms current: 70A; Mounting force with clip: 20-120N |
| Напряжение, В | 1200 V |
| Тепл. хар-ки | Rth case heatsink: 0.25K/W; Rth junction case: 0.25K/W; Темп. хранения: -40C to 150C; Рабочая температура: -40C to 125C; Virtual junction temperature: -40C to 150C |
| Switching characteristics | Время выключения: 200us; Critical rate rise voltage: 1000V/us; Gate controlled delay time: 2us; Critical rate rise current repetitive: 150A/us; Critical rate rise current non repetitive: 500A/us |
Заметили ошибку в описании или параметрах?