Документация
Диод Шоттки SiC 650В 6А (Tc=155°C)
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
У поставщиков
138 шт.
Норм. уп.: 75
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:138 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 75
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 112,27 |
| от 7 | 110,20 |
| от 14 | 107,36 |
| от 27 | 103,05 |
| от 54 | 96,81 |
Описание
Диод Шоттки SiC от Wolfspeed на напряжение 650 В и ток 6 А (при Tc=155°C). Выполнен в компактном корпусе DPAK/TO-252AA. Отличается высокой эффективностью и низкими потерями при переключении. Применяется в импульсных источниках питания и силовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | C6D06065 |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Benefits | Higher System Level Efficiency, Increase System Power Density, Reduction of Heat Sink Requirements, Parallel Devices Without Thermal Runaway |
| Особенности | New 6th Generation Technology, Low Forward Voltage Drop, Zero Reverse Recovery Current, Zero Forward Recovery Voltage, Low Leakage Current, Temperature-Independent Switching Behavior, Positive Temperature Coefficient on VF |
| Тип монтажа | SMD |
| Generation | 6th Generation |
| Технология | SiC Schottky |
| Описание | Silicon Carbide Schottky Diode Z-Rec Rectifier |
| Артикул | C6D06065E |
| Применение | Switch Mode Power Supplies (SMPS), Server/Telecom Power Supplies, Industrial Power Supplies, Solar, UPS |
| Соотв. RoHS | Да |
| Прямое напряжение | 6A 25C max: 1.50V; 6A 25C typ: 1.27V; 6A 175C max: 1.60V; 6A 175C typ: 1.37V |
| REACH | Да |
| Обратный ток | 650V 25C max: 30uA; 650V 25C typ: 2uA; 650V 175C max: 120uA; 650V 175C typ: 15uA |
| Рассеиваемая мощность | 25C: 68W; 110C: 30W |
| Общая емкость | 0V: 394pF; 200V: 44pF; 400V: 37pF |
| Размеры упаковки | A: 2.159-2.413mm; D: 5.867-6.248mm; E: 6.35-6.73mm; H: 9.65-10.414mm; L: 1.106-1.78mm; B: 0.64-0.89mm; C: 0.457-0.61mm; E: 4.58mm BSC; A1: 0-0.13mm; D1: 5.21mm min; E1: 4.32mm min; L2: 0.51mm BSC; L3: 0.889-1.27mm; L4: 0.64-1.01mm; B2: 0.653-1.143mm; B3: 5.004-5.6mm; C2: 0.457-0.864mm; Theta: 0°-8° |
| Напряжение блокировки DC | 650V |
| Примечание | Шоттки SiC 650В 6А |
| Заряд обратного восстановления | 0 (majority carrier diode) |
| Total capacitive charge | 23nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Capacitance stored energy | 3.5uJ |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Непрерывный прямой ток | 25C: 12A; 125C: 12A; 155C: 6A |
| Описание (англ.) | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 23A(Tc=25°C) |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 650V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.19°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +175°C |
| Repetitive peak forward surge current | 25C 10ms: 25A; 110C 10ms: 15A |
| Неповтор. импульсный ток | 25C 10ms: 46A; 25C 10us: 472A; 110C 10ms: 42A; 110C 10us: 427A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?