Документация
Диод Шоттки х2 SiC 1200В 10А(2x5A) (Tc=160°C)
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
У поставщиков
18 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:18 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 497,55 |
| от 6 | 469,81 |
| от 11 | 447,21 |
| от 22 | 430,42 |
| от 60 | 417,93 |
Описание
Диод Шоттки сдвоенный SiC от Wolfspeed на напряжение 1200 В и общий ток 10 А (2x5 А) при температуре корпуса 160°C. Выполнен в корпусе TO-247-3. Подходит для высокочастотных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Цоколевка | Pin1: ANODE; Pin2: CATHODE; Pin3: ANODE; Pin4: CATHODE |
| Маркировка | C4D10120 |
| Корпус | TO-247-3 |
| Тип монтажа | THT |
| Компонент | C4D10120D |
| Значение I²t | Tc 25c 10ms: 10.6A2s; Tc 110c 10ms: 6.5A2s |
| Соответствие | REACh, RoHS, and Halogen-Free |
| Размеры | E: 5.44mm BSC; T: 17.5mm REF; W: 3.5mm REF; X: 4mm REF; A max: 5.21mm; A min: 4.83mm; B max: 1.33mm; B min: 1.07mm; C max: 0.68mm; C min: 0.55mm; D max: 21.1mm; D min: 20.8mm; E max: 16.13mm; E min: 15.75mm; L max: 20.32mm; L min: 19.81mm; P max: 3.65mm; P min: 3.51mm; Q max: 6mm; Мин. заряд: 5.49mm; S max: 6.3mm; S min: 6.04mm; A1 max: 2.54mm; A1 min: 2.29mm; A2 max: 2.16mm; A2 min: 1.91mm; B1 max: 2.41mm; B1 min: 1.91mm; B3 max: 3.38mm; B3 min: 2.87mm; D1 max: 17.65mm; D1 min: 16.25mm; D2 max: 1.25mm; D2 min: 0.95mm; E1 max: 14.15mm; E1 min: 13.1mm; E2 max: 5.1mm; E2 min: 3.68mm; E3 max: 1.9mm; E3 min: 1mm; E4 max: 13.43mm; E4 min: 12.38mm; L1 max: 4.4mm; L1 min: 4.1mm |
| Описание | 4th Generation 1200 V, 10 A Silicon Carbide Schottky Diode |
| Прямое напряжение | If 5a tj 25c max: 1.8V; If 5a tj 25c typ: 1.4V; If 5a tj 175c max: 3V; If 5a tj 175c typ: 1.9V |
| Момент затяжки | M3 screw: 1Nm; 6 32 screw: 8.8lbf-in |
| Обратный ток | Vr 1200v tj 25c max: 150uA; Vr 1200v tj 25c typ: 20uA; Vr 1200v tj 175c max: 300uA; Vr 1200v tj 175c typ: 40uA |
| Общая емкость | Vr 0v tj 25c f 1mhz: 390pF; Vr 400v tj 25c f 1mhz: 27pF; Vr 800v tj 25c f 1mhz: 20pF |
| Напряжение блокировки DC | 1200V |
| Темп. перехода | -55 to +175C |
| Информация для заказа | Номер заказа: C4D10120D; Тип упаковки: трубка |
| Примечание | Шоттки х2 SiC 1200В 10А(2x5A) |
| Diode dv dt ruggedness | 200V/ns |
| Total capacitive charge | 27nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Case storage temperature | -55 to +135C |
| Capacitance stored energy | 8.0uJ |
| Power dissipation per leg | Tc 25c: 93W; Tc 110c: 40W |
| Surge peak reverse voltage | 1300V |
| Power dissipation per device | Tc 25c: 187W; Tc 110c: 81W |
| Описание (англ.) | Diode Schottky 1200V 19A/38A (Tc=25°C) 3Pin TO-247 |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Continuous forward current per leg | Tc 25c: 19A; Tc 135c: 9A; Tc 160c: 5A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | Per leg typ: 1.6C/W; Per device typ: 0.8C/W |
| Non repetitive forward surge current | Tc 25c 10us pulse: 400A; Tc 110c 10us pulse: 320A; Tc 25c 10ms half sine: 46A; Tc 110c 10ms half sine: 36A |
| Continuous forward current per device | Tc 25c: 38A; Tc 135c: 18A; Tc 160c: 10A |
| Repetitive peak forward surge current | Tc 25c 10ms half sine: 26A; Tc 110c 10ms half sine: 18A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?