Документация
Диод Шоттки SIC 1200В 2A (Tc=162°C) 52Вт
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 75
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 75
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 229,34 |
| от 10 | 215,25 |
| от 20 | 203,77 |
| от 40 | 195,22 |
| от 75 | 188,85 |
Описание
Диод Шоттки SIC от Wolfspeed на напряжение 1200 В и ток 2 А. Устройство в компактном корпусе TO-252-2 для поверхностного монтажа, рассеиваемая мощность до 52 Вт. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Маркировка | C4D02120 |
| Корпус | TO-252-2 |
| Benefits | Replace Bipolar with Unipolar Rectifiers, Essentially No Switching Losses, Higher Efficiency, Reduction of Heat Sink Requirements, Parallel Devices Without Thermal Runaway |
| Особенности | 1.2kV Schottky Rectifier, Optimized for PFC Boost Diode Application, Zero Reverse Recovery Current, High-Frequency Operation, Temperature-Independent Switching Behavior, Positive Temperature Coefficient on VF |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Silicon Carbide Schottky Diode |
| Diode model | Rt: 0.167 + (Tj * 1.06 * 10^-3); Vt: 0.95 + (Tj * -1.3 * 10^-3); Модель: CSD04060; Equation: Vf = Vt + If * Rt |
| Артикул | C4D02120E |
| Voltage rrm | 1200V |
| Voltage rsm | 1300V |
| Применение | Solar Inverters, Power Factor Correction, LED Lighting Power Supplies, X-Ray Tube Power Drivers, EV Charging and Power Conversion |
| Current max dc | 4.5A (Tc=135°C), 2A (Tc=162°C) |
| Прямое напряжение | 1.4V typ, 1.8V max (If=2A, Tj=25°C); 1.9V typ, 3V max (If=2A, Tj=175°C) |
| Обратный ток | 10μA typ, 50μA max (Vr=1200V, Tj=25°C); 40μA typ, 150μA max (Vr=1200V, Tj=175°C) |
| Рассеиваемая мощность | 51.7W (Tc=25°C), 22.4W (Tc=110°C) |
| Общая емкость | 167pF (Vr=0V, Tj=25°C, f=1MHz); 11pF (Vr=400V, Tj=25°C, f=1MHz); 8pF (Vr=800V, Tj=25°C, f=1MHz) |
| Темп. хранения | -55 to +135°C |
| Напряжение блокировки DC | 1200V |
| Примечание | Шоттки SIC 1200В 2A |
| Заряд обратного восстановления | 0 (majority carrier diode) |
| Total capacitive charge | 11nC (Vr=800V, If=2A, di/dt=200A/μs, Tj=25°C) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Capacitance stored energy | 3.2μJ (Vr=800V) |
| Описание (англ.) | Schottky rectifying; SMD; 1.2kV; 2A(Tc=162°C) ; 52W |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Current non repetitive peak forward | 200A (Tc=25°C, 10ms pulse), 160A (Tc=110°C, 10ms pulse) |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.9°C/W |
| Current repetitive peak forward surge | 14.4A (Tc=25°C, 10ms), 10A (Tc=110°C, 10ms) |
| Current non repetitive peak forward surge | 19A (Tc=25°C, 10ms), 16.5A (Tc=110°C, 10ms) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?