Документация
Диод Шоттки SIC 1200В 5A C4D02120E-TR
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
У поставщиков
259 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:259 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 231,40 |
| от 10 | 217,20 |
| от 20 | 205,63 |
| от 40 | 197,03 |
| от 79 | 190,61 |
Описание
Диод Шоттки на карбиде кремния от Wolfspeed на напряжение 1200 В и ток 5 А. Выполнен в компактном корпусе TO-252-2, выдерживает импульсный ток до 19 А. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Маркировка | C4D02120 |
| Корпус | TO-252-2 |
| Тип монтажа | SMD |
| Значение I²t | 1.8A2s |
| Тип диода | Schottky |
| Технология | Silicon Carbide Schottky |
| Описание | 1200 V, 2 A Silicon Carbide Schottky Diode |
| Артикул | C4D02120E |
| Применение | Switch mode power supplies (SMPS), Boost diodes in PFC or DC/DC stages, Free wheeling diodes in inverter stages, LED lighting power supplies, AC/DC converters |
| Производитель | Wolfspeed |
| I2t value 110c | 1.4A2s |
| Прямое напряжение | 1.4V |
| Обратный ток | 10µA |
| Dv dt ruggedness | 200V/ns |
| Рассеиваемая мощность | 60W |
| Общая емкость | 167pF |
| Maximum dc current | 5A |
| Напряжение блокировки DC | 1200V |
| Макс. прямое напряжение | 1.8V |
| Макс. обратный ток | 50µA |
| Темп. хранения | -55 to +175 °C |
| Частота перекл. | high-frequency |
| Forward voltage 175c | 1.9V |
| Reverse current 175c | 40µA |
| Примечание | Шоттки SIC 1200В 5A |
| Maximum dc current 25c | 10A |
| Power dissipation 110c | 26W |
| Total capacitance 400v | 11pF |
| Total capacitance 800v | 8pF |
| Maximum dc current 165c | 2A |
| Заряд обратного восстановления | 0nC |
| Total capacitive charge | 11nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Forward voltage 175c max | 3V |
| Reverse current 175c max | 150µA |
| Reverse recovery current | 0A |
| Capacitance stored energy | 3.2µJ |
| Forward voltage conditions | IF = 2 A, TJ = 25 °C |
| Reverse current conditions | VR = 1200 V, TJ = 25 °C |
| Surge peak reverse voltage | 1300V |
| Описание (англ.) | 19A 1.2kV 1.8V@2A 10A TO-252-2 Single Diodes RoHS |
| Maximum dc current conditions | TC = 135 °C |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175 °C |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Неповторяющийся импульсный ток | 200A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Repetitive peak forward surge current | 13A |
| Non repetitive peak forward current 110c | 160A |
| Неповтор. импульсный ток | 19A |
| Repetitive peak forward surge current 110c | 8.4A |
| Non repetitive peak forward surge current 110c | 16.5A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?