Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 17А TO-247-3
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
36 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:36 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 922,67 |
| от 4 | 875,44 |
| от 7 | 836,97 |
| от 13 | 808,42 |
| от 30 | 787,16 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC от Wolfspeed. Работает при напряжении до 1200 В и токе до 17 А, выпускается в корпусе TO-247-3. Подходит для мощных импульсных источников питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247-3 |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | N-Channel |
| Время спада | 13ns |
| Время нарастания | 16ns |
| Технология | SiC |
| Артикул | C3M0160120D |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | TO-247 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 1 Nm (8.8 lbf-in) |
| Enhancement mode | Да |
| Вх. емкость | 632pF |
| Рассеиваемая мощность | 97W |
| Полный заряд затвора | 38nC |
| Выходная емкость | 39pF |
| Температура пайки | 260°C |
| Время задержки включения | 30ns |
| Diode pulse current | 34A |
| Время задержки выключения | 20ns |
| Gate to drain charge | 12nC |
| Импульсный ток стока | 34A |
| Gate to source charge | 9nC |
| Время обратного восстановления | 34ns |
| Заряд обратного восстановления | 194nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 1200V |
| Internal gate resistance | 8Ω |
| Transconductance typ 25C | 5.2S |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Transconductance typ 150C | 4.9S |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3.6V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.8V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.8V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Continuous drain current 25C | 17A |
| Обратная проходная емкость | 3pF |
| Описание (англ.) | 1200 V, 17 A SiC N‑Channel MOSFET in a TO‑247‑3 |
| Continuous drain current 100C | 12A |
| Diode forward voltage typ 25C | 4.5V |
| Peak reverse recovery current | 8A |
| Diode forward voltage typ 150C | 4.0V |
| Gate source leakage current max | 250nA |
| Gate source leakage current typ | 10nA |
| Operational gate source voltage | -4V to 15V |
| Continuous diode forward current | 17A |
| Output capacitance stored energy | 22.5µJ |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.29°C/W |
| Drain source on resistance max 25C | 208mΩ |
| Drain source on resistance typ 25C | 160mΩ |
| Turn on switching energy sic diode | 183µJ |
| Drain source on resistance typ 150C | 256mΩ |
| Turn off switching energy sic diode | 16µJ |
| Turn on switching energy body diode | 294µJ |
| Zero gate voltage drain current max | 50µA |
| Zero gate voltage drain current typ | 1µA |
| Turn off switching energy body diode | 14µJ |
| Maximum gate source voltage transient | -8V to +19V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?