+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 900В 23А автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247

Артикул:890230
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
41 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:41 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11 324,86
от 31 260,53
от 51 208,12
от 91 169,22
от 171 140,28
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC от Wolfspeed. Работает при напряжении до 900 В и токе до 23 А, выпускается в корпусе TO-247. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
I s15A
P d97W
Q g21nC
T f7ns
T r32ns
E on176µJ
Q gd8nC
Q gs5nC
Q rr127nC
T rr28ns
C iss414pF
C oss48pF
C rss3pF
E off36µJ
E oss10.6µJ
I rrm6A
T stg-55 to +150°C
F test1MHz
L test99µH
T d on6ns
I d 25c23A
МаркировкаC3M0120090
КорпусTO-247
R g ext2.5Ω
R g int13Ω
R th ja40°C/W
R th jc1.3°C/W
T d off14ns
T j max+150°C
T j min-55°C
G fs typ8.9S
I d 100c15A
I d test15A
Тип монтажаВыводной
T solder260°C
V ds max900V
V sd typ4.8V
I d pulse50A
I dss max100µA
I gss max250nA
I s pulse50A
Кол-во выводов3+Tab
V ac test25mV
V dd test400V
V ds test900V
V gs test15V
Dv dt test600A/µs
ТехнологияC3M SiC MOSFET
ОписаниеSilicon Carbide Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
АртикулC3M0120090D
V gs th max3.5V
V gs th min1.8V
V gs th typ2.1V
V gs th 150c1.6V
G fs typ 150c7.1S
V sd typ 150c4.4V
Момент затяжки1Nm
R ds on max 25c155mΩ
R ds on typ 25c120mΩ
V gs max static-4/+15V
R ds on typ 150c170mΩ
V gs max dynamic-8/+19V
Тип упаковкиTube (туба)
Описание (англ.)MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247

Заметили ошибку в описании или параметрах?