Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 1200В 66А 4-Pin(4+Tab) TO-247
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
216 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:216 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 858,74 |
| от 6 | 819,67 |
| от 12 | 788,67 |
| от 23 | 761,39 |
| от 60 | 742,96 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET от Wolfspeed на карбиде кремния (SiC). Рассчитан на напряжение 1200 В и ток до 66 А, сопротивление открытого канала — 40 мОм. Выполнен в 4-выводном корпусе TO-247. Применяется в мощных импульсных источниках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | C3M0040120K |
| Корпус | TO-247-4 |
| Время спада | 9ns |
| Время нарастания | 17ns |
| Технология | SiC MOSFET, 3rd generation |
| Артикул | C3M0040120K |
| Корпус | TO-247-4L |
| Тип монтажа | THT |
| Момент затяжки | 1 Nm |
| Вх. емкость | 2900pF |
| Конфиг. выводов | Pin1/TAB: Drain, Pin2: Power Source, Pin3: Driver Source, Pin4: Gate |
| Рассеиваемая мощность | 326W |
| Полный заряд затвора | 99nC |
| Выходная емкость | 103pF |
| Температура пайки | 260°C |
| Время задержки включения | 13ns |
| Diode pulse current | 223A |
| Время задержки выключения | 23ns |
| Drain current pulsed | 223A |
| Gate to drain charge | 28nC |
| Gate to source charge | 34nC |
| On resistance max 25c | 53.5mΩ |
| On resistance typ 25c | 40mΩ |
| On resistance typ 175c | 68mΩ |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 1200V |
| Internal gate resistance | 3.5Ω |
| Transconductance typ 25c | 21S |
| Диап. темп. хр. | -40°C to +175°C |
| Transconductance typ 175c | 20S |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3.6V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.8V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.7V |
| Gate threshold voltage 175c | 2.2V |
| Обратная проходная емкость | 5pF |
| Описание (англ.) | 1200 V, 66 A, 40 mΩ 3rd‑generation SiC MOSFET in a 4‑pin TO‑247 |
| Diode forward voltage typ 25c | 5.5V |
| Diode forward voltage typ 175c | 4.9V |
| Drain current continuous dc 25c | 66A |
| Gate source leakage current max | 250nA |
| Gate source voltage operational | -4V to 15V |
| Reverse recovery time low di dt | 33ns |
| Continuous diode forward current | 51A |
| Drain current continuous dc 100c | 48A |
| Output capacitance stored energy | 60µJ |
| Reverse recovery time high di dt | 17ns |
| Turn on switching energy sic fwd | 243µJ |
| Creepage distance drain to source | 8mm |
| Gate source voltage max transient | -8V to +19V |
| Reverse recovery charge low di dt | 691nC |
| Turn off switching energy sic fwd | 104µJ |
| Reverse recovery charge high di dt | 850nC |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.46 °C/W |
| Turn on switching energy body diode | 611µJ |
| Zero gate voltage drain current max | 50µA |
| Диапазон темп. перехода | -40°C to +175°C |
| Turn off switching energy body diode | 99µJ |
| Peak reverse recovery current low di dt | 30A |
| Peak reverse recovery current high di dt | 79A |
| Effective output capacitance time related | 197pF |
| Effective output capacitance energy related | 127pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?