+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
C3D10060A
Документация

Диод Шоттки SiC 600В 14.5А (TC=135˚C)

Артикул:831903
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
У поставщиков
69 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:69 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1483,63
от 6456,56
от 12434,50
от 23418,12
от 50405,93
Описание

Диод Шоттки на карбиде кремния (SiC) от Wolfspeed. Выдерживает обратное напряжение до 600 В и прямой ток 14,5 А, выпускается в корпусе TO-220-2. Применяется в импульсных блоках питания, силовой электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
E c3.6µJ
I r10µA
Q c24nC
T j-55 to +175°C
V f1.5V
V dc600V
I frm46A
Ток I_FSM90A
P tot136.5W
T stg-55 to +175°C
VRRM600V
V rsm600V
R thjc1.1°C/W
C total460.5pF
I f max860A
I r max50µA
МаркировкаC3D10060
КорпусTO-220-2
V f max1.8V
I r 175c20µA
Тип монтажаВыводной
V f 175c2.0V
РазмерыA: 9.677-10.414mm; B: 5.969-6.477mm; C: 2.540-3.048mm; D: 5.664-8.560mm; E: 14.986-15.621mm; F: 3.632-3.886mm; G: 28.067-29.134mm; H: 12.700-13.970mm; L: 0.635-0.914mm; M: 1.143-1.550mm; N: 4.953-5.207mm; P: 4.191-4.699mm; Q: 1.219-1.372mm; S: 3°-6°; T: 3°-6°; U: 3°-6°; V: 2.388-2.794mm; W: 0.356-0.635mm; X: 3°-5.5°; Y: 9.779-10.414mm; Z: 3.302-3.810mm; D1: 11.60-12.45mm typ; D2: 7.04-7.70mm typ; D3: 6.22-6.4mm typ; E1: 7.68-8.28mm; E2: 5.77-6.37mm
I frm 110c31A
I fsm 110c71A
P tot 110c59W
ОписаниеSilicon Carbide Schottky Diode
Diode modelRt: 0.096 + (Tj * 1.06e-3); Vt: 0.965 + (Tj * -1.3e-3); Rt alt: 0.044 + (Tj * 4.4e-4); Vt alt: 0.94 + (Tj * -1.3e-3); Vf equation: Vf = VT + If * RT; Valid temperature range: 25°C to 175°C
АртикулC3D10060A
C total 200v44pF
C total 400v40pF
I f max 110c680A
I r max 175c200µA
V f max 175c2.4V
E c conditionsVR=400V
I f continuous14.5A
I r conditionsVR=600V, TJ=25°C
Q c conditionsVR=400V, IF=10A, di/dt=500A/µs, TJ=25°C
Соотв. RoHSДа
V f conditionsIF=10A, TJ=25°C
Момент затяжки1 Nm (M3 Screw), 8.8 lbf-in (6-32 Screw)
REACHДа
I frm conditionsTC=25°C, tp=10ms, Half Sine Wave
I fsm conditionsTC=25°C, tp=10ms, Half Sine Wave
P tot conditionsTC=25°C
C total conditionsVR=0V, TJ=25°C, f=1MHz
I f continuous 25c30A
I f max conditionsTC=25°C, tp=10µs, Pulse
I f continuous 153c10A
ПримечаниеШоттки SiC 600В 14.5А
C total 200v conditionsVR=200V, TJ=25°C, f=1MHz
C total 400v conditionsVR=400V, TJ=25°C, f=1MHz
Тип упаковкиTube (туба)
I f continuous conditionsTC=135°C
Описание (англ.)SiC-Schottky 600V 14,5A TO220AC

Заметили ошибку в описании или параметрах?