Документация
Диод Шоттки SiC 600В 4А C3D04060E-TR
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
У поставщиков
269 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:269 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 176,46 |
| от 13 | 165,15 |
| от 26 | 155,93 |
| от 51 | 149,06 |
| от 101 | 143,95 |
Описание
Диод Шоттки на карбиде кремния (SiC) от Wolfspeed. Выдерживает обратное напряжение до 600 В и прямой ток до 4 А (6 А в импульсе). Выполнен в компактном SMD-корпусе TO-252-2 для поверхностного монтажа. Применяется в импульсных блоках питания, корректорах коэффициента мощности и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | C3D04060 |
| Корпус | TO-252-2 |
| Особенности | 600-Volt Schottky Rectifier, Optimized for PFC Boost Diode Application, Zero Reverse Recovery Current, Zero Forward Recovery Voltage, High-Frequency Operation, Temperature-Independent Switching Behavior, Extremely Fast Switching, Positive Temperature Coefficient on V_F |
| Тип монтажа | SMD |
| Значение I²t | 3.1A²s at T=25°C, 1.8A²s at T=110°C (10ms) |
| Тип диода | Silicon Carbide Schottky Diode |
| Diode model | Model name: CSD04060; R t equation: R_T = 0.096 + (T_j * 1.06e-3); V t equation: V_T = 0.965 + (T_j * -1.3e-3) |
| Артикул | C3D04060E-TR |
| Применение | Switch Mode Power Supplies (SMPS), Boost diodes in PFC or DC/DC stages, Free Wheeling Diodes in Inverter stages, AC/DC converters |
| Прямое напряжение | 1.4V typ, 1.7V max at I=4A, T=25°C; 1.7V typ, 2.4V max at I=4A, T=175°C |
| Обратный ток | 5µA typ, 25µA max at V=600V, T=25°C; 10µA typ, 100µA max at V=600V, T=175°C |
| Dv/dt ruggedness | 200V/ns |
| Рассеиваемая мощность | 52W at T=25°C, 22.5W at T=110°C |
| Общая емкость | 231pF at V=0V, 18.5pF at V=200V, 15pF at V=400V (T=25°C, f=1MHz) |
| Размеры упаковки | A: 2.159-2.413mm; B: 0.64-0.89mm; C: 0.457-0.61mm; D: 5.867-6.248mm; E: 6.35-7.341mm; H: 9.65-10.414mm; L: 1.106-1.78mm; A1: 0-0.13mm; B2: 0.653-1.143mm; B3: 5.004-5.6mm; C2: 0.457-0.864mm; D1: 5.21mm min; E1: 4.32mm min; L2: 0.51mm BSC; L3: 0.889-1.27mm; L4: 0.64-1.01mm; Theta: 0°-8°; E pitch: 4.58mm BSC |
| Напряжение блокировки DC | 600V |
| Темп. хранения | -55°C to +175°C |
| Примечание | Шоттки SiC 600В 4A |
| Заряд обратного восстановления | 0 (majority carrier diode) |
| Total capacitive charge | 10nC at V=400V, I=4A, di/dt=500A/µs, T=25°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Capacitance stored energy | 1.4µJ at V=400V |
| Непрерывный прямой ток | 6A at T=135°C, 4A at T=155°C |
| Surge peak reverse voltage | 600V |
| Описание (англ.) | SMD SiC-Schottky 600V 6A TO252 |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 600V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.9°C/W |
| Repetitive peak forward surge current | 17A at T=25°C, 12A at T=110°C (10ms half sine) |
| Неповтор. импульсный ток | 25A at T=25°C, 19A at T=110°C (10ms half sine), 220A at T=25°C, 160A at T=110°C (10µs pulse) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?