+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
C2M1000170D
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1700В 4.9A TO247, 69Вт

Артикул:831907
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
30 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:30 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11 328,12
от 21 264,05
от 41 211,84
от 81 173,08
от 161 144,25
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC). Выдерживает напряжение до 1700 В и ток до 4.9 А при мощности 69 Вт, выпускается в корпусе TO-247. Подходит для мощных импульсных блоков питания и промышленной автоматики.

Технические характеристики
КорпусTO-247-3
Тип монтажаВыводной
Время спада60ns
Время нарастания10.5ns
ТехнологияC2M MOSFET
ОписаниеSilicon Carbide Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
АртикулC2M1000170D
Stored energy7µJ
Момент затяжки1 Nm (8.8 lbf-in)
Вх. емкость200pF
Рассеиваемая мощность69W
Полный заряд затвора13nC
Выходная емкость12pF
Температура пайки260°C
Время задержки включения6ns
Темп. хранения-55 to +150°C
Время задержки выключения11ns
Gate to drain charge5.4nC
Импульсный ток стока6.0A
Transconductance typ0.81S
Gate to source charge4.7nC
Время обратного восстановления20ns
Напряжение затвор-исток макс.-10/+25V
Заряд обратного восстановления24nC
Тип упаковкиTube (туба)
Макс. напряжение сток-исток1700V
Internal gate resistance24.8Ω
Turn on switching energy40µJ
Diode forward voltage 25c3.8V
Turn off switching energy15µJ
Diode forward voltage 150c3.3V
Пороговое напряжение затвора макс.4V
Пороговое напряжение затвора мин.2.0V
Тип. пороговое Uзи2.6V
Gate source leakage current250nA
Gate threshold voltage 150c2.1V
Длительный ток стока 25°C5.0A
Обратная проходная емкость1.3pF
Описание (англ.)MOSFET, N-CH, 1700V, 4.9A, SIC, TO247
Непрерывный ток стока 100°C3.5A
Peak reverse recovery current6.5A
Напряжение пробоя сток-исток1700V
Рабочая температура перехода-55 to +150°C
Drain source on resistance 150c2.0Ω
Gate source voltage recommended-5/+20V
Continuous diode forward current4A
Drain source on resistance vgs20v0.82Ω
Drain source on resistance max 25c1.4Ω
Drain source on resistance typ 25c1.0Ω
Zero gate voltage drain current max100µA
Zero gate voltage drain current typ1µA
Термосопротивление переход-среда40°C/W
Макс. тепловое сопротивление переход-корпус1.8°C/W
Thermal resistance junction to case typ1.7°C/W
Напряжение, В1700

Заметили ошибку в описании или параметрах?