Документация
Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
121 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:121 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 090,09 |
| от 3 | 1 035,77 |
| от 5 | 991,52 |
| от 10 | 958,66 |
| от 20 | 934,23 |
Описание
Полевой транзистор N-канальный от Wolfspeed на карбиде кремния (SiC). Работает при напряжении 12 В и токе до 17,7 А, выпускается в корпусе TO-247. Подходит для мощных импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247-3 |
| Особенности | High Blocking Voltage with Low On-Resistance, High Speed Switching with Low Capacitances, Easy to Parallel and Simple to Drive, Avalanche Ruggedness, Resistant to Latch-Up, Halogen Free, RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 14ns |
| Кол-во выводов | 3+Tab |
| Время нарастания | 9ns |
| Технология | C2M MOSFET Technology |
| Описание | Silicon Carbide Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode |
| Артикул | C2M0160120D |
| Применение | Solar Inverters, Switch Mode Power Supplies, High Voltage DC/DC Converters, LED Lighting Power Supplies |
| Момент затяжки | 1 Nm (8.8 lbf-in) |
| Вх. емкость | 606pF |
| Рассеиваемая мощность | 125W |
| Stored energy oss | 28µJ |
| Полный заряд затвора | 40nC |
| Выходная емкость | 55pF |
| Температура пайки | 260°C |
| Время задержки включения | 7ns |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 13ns |
| Gate to drain charge | 17nC |
| Импульсный ток стока | 40A |
| Gate to source charge | 11nC |
| Время обратного восстановления | 20ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | -10/+25V |
| Заряд обратного восстановления | 192nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 1200V |
| Internal gate resistance | 6.5Ω |
| Transconductance typ 25c | 3.8S |
| Turn on switching energy | 121µJ |
| Transconductance typ 150c | 5.3S |
| Turn off switching energy | 48µJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.9V |
| Gate threshold voltage 150c | 2.4V |
| Длительный ток стока 25°C | 18A |
| Обратная проходная емкость | 5pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH SiC 12V 17.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
| Avalanche energy single pulse | 600mJ |
| Непрерывный ток стока 100°C | 12A |
| Diode forward voltage typ 25c | 3.9V |
| Peak reverse recovery current | 16A |
| Diode forward voltage typ 150c | 3.5V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Gate source leakage current max | 250nA |
| Gate source voltage recommended | -5/+20V |
| Continuous diode forward current | 25A |
| Drain source on resistance max 25c | 196mΩ |
| Drain source on resistance typ 25c | 160mΩ |
| Drain source on resistance typ 150c | 290mΩ |
| Zero gate voltage drain current max | 100µA |
| Zero gate voltage drain current typ | 1µA |
| Термосопротивление переход-среда | 40K/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.0K/W |
| Thermal resistance junction to case typ | 0.9K/W |
| Напряжение, В | 1200 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?