Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 1.2KВ 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
21 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:21 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 823,58 |
| от 2 | 2 698,48 |
| от 3 | 2 596,56 |
| от 4 | 2 520,92 |
| от 8 | 2 464,63 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Wolfspeed на напряжение 1,2 кВ и ток до 36 А. Выполнен в корпусе TO-247-3, подходит для мощных силовых схем. Применяется в промышленной автоматике, источниках бесперебойного питания и силовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247-3 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 14ns |
| Время нарастания | 22ns |
| Технология | SiC MOSFET |
| Описание | N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET |
| Артикул | C2M0080120D |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | TO-247-3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 1Nm (8.8 lbf-in) |
| Transconductance | 10S (25°C), 9S (150°C) |
| Drain current 25c | 36A @ VGS=20V, TC=25°C |
| Вх. емкость | 1130pF |
| Рассеиваемая мощность | 192W @ TC=25°C, TJ=150°C |
| Полный заряд затвора | 71nC |
| Drain current 100c | 24A @ VGS=20V, TC=100°C |
| Выходная емкость | 92pF |
| Температура пайки | 260°C |
| Время задержки включения | 15ns |
| Время задержки выключения | 24ns |
| Gate to drain charge | 29nC |
| Импульсный ток стока | 80A |
| Напр. диода | 4.3V (25°C), 3.8V (150°C) |
| Gate to source charge | 17nC |
| Время обратного восстановления | 24ns |
| Gate threshold voltage | 2.0V min, 2.9V typ, 4V max |
| Заряд обратного восстановления | 152nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 1200V |
| Internal gate resistance | 3.9Ω |
| Turn on switching energy | 523μJ |
| Turn off switching energy | 72μJ |
| Gate source leakage current | 250nA max |
| Gate source voltage abs max | -10/+25V |
| Обратная проходная емкость | 7.5pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH Si 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
| Avalanche energy single pulse | 1J |
| Peak reverse recovery current | 10A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 1200V |
| Drain source on resistance 25c | 80mΩ typ, 98mΩ max @ VGS=20V, ID=20A |
| Output capacitor stored energy | 50μJ |
| Drain source on resistance 150c | 144mΩ @ VGS=20V, ID=20A, TJ=150°C |
| Gate source voltage recommended | -5/+20V |
| Zero gate voltage drain current | 1μA typ, 100μA max |
| Continuous diode forward current | 36A |
| Operating and storage temp range | -55°C to +150°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.60°C/W typ, 0.65°C/W max |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?