Полевой транзистор C2M0080120D
У поставщика
У поставщиков
58 шт.
Норм. уп.: 30
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 343,20 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:58 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 343,20 |
Описание
Полевой транзистор C2M0080120D от HXY MOSFET представляет собой мощный силовой MOSFET с изолированным затвором. Компонент предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, преобразователях и системах управления двигателями. Отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирован для работы при повышенных температурах.