+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
C2M0040120D
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный на основе карбида кремния 1200В 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Артикул:888954
У поставщика
ПроизводительWolfspeed
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
34 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:34 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 14 131,81
от 23 955,95
от 33 812,72
от 43 706,39
от 63 627,31
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Wolfspeed на основе карбида кремния. Работает при напряжении до 1200 В и токе до 60 А, выполнен в корпусе TO-247. Подходит для мощных импульсных источников питания и промышленной автоматики.

Технические характеристики
ТипN-Channel Enhancement Mode
КорпусTO-247-3
Макс. Vds1200V
Время спада13ns
Ток стока импульсный160A
Время нарастания61ns
ТехнологияSiC Power MOSFET, C2M Technology
АртикулC2M0040120D
Vgs max abs-10/+25V
Без галогеновДа
КорпусTO-247
Тип монтажаTHT
Rds on max 25c52mΩ
Rds on typ 25c44mΩ
Соотв. RoHSДа
Момент затяжки1Nm
Rds on typ 150c82mΩ
Vgs recommended-5/+20V
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Ток стока непрерывный 25C55A
Вх. емкость2440pF
Рассеиваемая мощность278W
Stored energy oss89μJ
Полный заряд затвора120nC
Непрерывный ток 100°C36A
Выходная емкость171pF
Температура пайки260°C
Время задержки включения13ns
Diode pulse current160A
Время задержки выключения25ns
Gate to drain charge42nC
Gate to source charge34nC
Время обратного восстановления54ns
Заряд обратного восстановления283nC
Тип упаковкиTube (туба)
Internal gate resistance1.8Ω
Diode forward voltage 25c4.0V
Diode forward voltage 150c3.6V
Пороговое напряжение затвора макс.4.0V
Пороговое напряжение затвора мин.2.0V
Тип. пороговое Uзи3.2V
Operating junction temp max150°C
Operating junction temp min-55°C
Обратная проходная емкость11pF
Описание (англ.)MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Peak reverse recovery current15A
Continuous diode forward current60A
Тепловое сопротивление переход-среда40°C/W
Turn on switching energy body diode1.7mJ
Thermal resistance junction case max0.45°C/W
Thermal resistance junction case typ0.33°C/W
Turn off switching energy body diode0.4mJ
Turn on switching energy external diode1.3mJ
Turn off switching energy external diode0.4mJ

Заметили ошибку в описании или параметрах?