+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BZX84B16LT1G
Документация

Стабилитрон 0.225Вт 16В BZX84B16LT1G

Артикул:789190
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
11 177 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 606,72 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 643,28 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
474 шт · Склад 13 · 606,72 ₽
Описание

Стабилитрон ON Semiconductor BZX84B16LT1G — прецизионный Zener-диод с номинальным напряжением стабилизации 16 В и точностью ±2%. Компонент рассчитан на рассеиваемую мощность до 250 мВт, выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Отличается низким обратным током утечки (0,05 мкА) и высокой стойкостью к электростатическим разрядам (класс 3). Подходит для защиты цепей и стабилизации напряжения в портативной и бытовой электронике.

Технические характеристики
КорпусCASE 318
ТипСтабилитрон
СтильSTYLE 8
ПокрытиеCorrosion resistant, easily solderable
Цоколевка1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode
СерияBZX84BxxxLT1G
МаркировкаSee datasheet for specific code
КорпусSOT-23-3
Без свинцаДа
Снижение характеристик2mW/°C
Тип монтажаSMD
Полярностьполоса катода
Код корпуса318
КомпонентBZX84B16LT1G
УпаковкаЛента и катушка
Допуск±2%
ESD рейтингClass 3 (>16kV) per Human Body Model
ОписаниеZener Voltage Regulator Diode
АртикулBZX84B16LT1G
ПроизводительON Semiconductor
Тестовый ток5mA
Материал корпусаVoid-free, transfer-molded, thermosetting plastic
Соотв. RoHSДа
Макс. емкость105pF
Прямой ток10mA
Прямое напряжение0.9V
Емкость при 0 В105pF
Рассеиваемая мощность250mW
Кол-во на катушке3000
Макс. U стабилитрона16.32V
Мин. U стабилитрона15.68V
AEC-Q101Да
Снижение мощности на FR52.0mW/°C
Класс горючестиUL 94 V-0
Макс. прямое напряжение0.90V
Макс. импеданс стабилитрона40Ω
Диапазон напр. стабилитрона2.4V to 75V
Рассеиваемая мощность, FR5250mW
Напряжение стабилизации номин.16V
Снижение мощности на оксиде алюминия2.4mW/°C
Имп. стаб. при Izt40Ω
Обратный ток утечки0.05µA
Обратное напряжение утечки11.2V
Температура пайки макс.260°C в течение 10 секунд
Рассеиваемая мощность, alumina300mW
Диап. темп. хр.-65°C to +150°C
Диапазон темп. перехода-65°C to +150°C
Zener voltage test current5mA
Условия теста емкостиVR=0, f=1MHz
Макс. обратный ток утечки0.05µA
Макс. температурный коэффициент14.0mV/K
Температурный коэффициент мин.10.4mV/K
Испытательное напряжение утечки VR, В11.2V
Zener impedance test current5mA
Температура хранения перехода-65 to +150°C
Термосопротивление переход-среда500°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда, FR-5500°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда, оксид алюминия417°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?