
Документация
Диод SMD BZV55-B33,115
У поставщика
У поставщиков
3 131 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 131 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 104 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,64 |
| от 284 | 5,69 |
| от 568 | 4,91 |
| от 1 135 | 4,31 |
| от 2 500 | 3,92 |
Описание
Диод SMD BZV55-B33,115 от Nexperia — стабилитрон для поверхностного монтажа. Работает при напряжении стабилизации 33 В, рассеивает мощность до 500 мВт. Выполнен в миниатюрном корпусе SOD-80C. Подходит для защиты цепей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Серия | BZV55 |
| Корпус | SOD80C |
| Цоколевка | Вывод 1: cathode; Вывод 2: anode; Маркировка: marking band indicates cathode |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Low-power voltage regulator diode |
| Type number | BZV55-B33 |
| Test current iz | 2mA |
| Tolerance series | B (2%) |
| Макс. прямой ток | 250mA |
| Макс. прямое напряжение | 0.9V |
| Описание корпуса | small hermetically sealed glass surface-mounted package; 2 connectors |
| Макс. обратный ток | 50nA |
| Макс. рабочее напр. | 33.7V |
| Working voltage min | 32.3V |
| Diode capacitance max | 45pF |
| Макс. темп. хр. | +200C |
| Мин. темп. хр. | -65C |
| Working voltage nominal | 33V |
| Макс. темп. перехода | +200C |
| Темп. перехода мин. | -65C |
| Прямое напряжение | IF = 10mA |
| Reverse current condition | VR = 0.7V x VZ(nom) |
| Diode capacitance condition | f = 1MHz; VR = 0V |
| Макс. температурный коэффициент | 33.4mV/K |
| Температурный коэффициент мин. | 23.3mV/K |
| Темп. коэфф. тип. | 28.7mV/K |
| Thermal resistance condition | device mounted on ceramic substrate 10x10x0.6mm |
| Total power dissipation tp 50c | 500mW |
| Total power dissipation amb 50c | 400mW |
| Total power dissipation condition | device mounted on ceramic substrate 10x10x0.6mm |
| Differential resistance iz 2mA max | 325Ohm |
| Differential resistance iz 2mA typ | 75Ohm |
| Differential resistance iz 0.5mA max | 80Ohm |
| Differential resistance iz 0.5mA typ | 35Ohm |
| Non repetitive peak reverse power max | 40W |
| Non repetitive peak reverse current max | 0.9A |
| Thermal resistance junction ambient max | 380K/W |
| Non repetitive peak reverse power condition | tp = 100us; square wave; Tj = 25C prior to surge |
| Thermal resistance junction solder point max | 300K/W |
| Non repetitive peak reverse current condition | tp = 100us; square wave; Tj = 25C prior to surge |
| Напряжение, В | 33 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?