+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
BZV55-B33,115
Документация

Диод SMD BZV55-B33,115

Артикул:112542
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияДиоды SMD
Ед. изм.шт
У поставщиков
3 131 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 131 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 104 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 16,64
от 2845,69
от 5684,91
от 1 1354,31
от 2 5003,92
Описание

Диод SMD BZV55-B33,115 от Nexperia — стабилитрон для поверхностного монтажа. Работает при напряжении стабилизации 33 В, рассеивает мощность до 500 мВт. Выполнен в миниатюрном корпусе SOD-80C. Подходит для защиты цепей в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
СерияBZV55
КорпусSOD80C
ЦоколевкаВывод 1: cathode; Вывод 2: anode; Маркировка: marking band indicates cathode
Тип монтажаSMD
ОписаниеLow-power voltage regulator diode
Type numberBZV55-B33
Test current iz2mA
Tolerance seriesB (2%)
Макс. прямой ток250mA
Макс. прямое напряжение0.9V
Описание корпусаsmall hermetically sealed glass surface-mounted package; 2 connectors
Макс. обратный ток50nA
Макс. рабочее напр.33.7V
Working voltage min32.3V
Diode capacitance max45pF
Макс. темп. хр.+200C
Мин. темп. хр.-65C
Working voltage nominal33V
Макс. темп. перехода+200C
Темп. перехода мин.-65C
Прямое напряжениеIF = 10mA
Reverse current conditionVR = 0.7V x VZ(nom)
Diode capacitance conditionf = 1MHz; VR = 0V
Макс. температурный коэффициент33.4mV/K
Температурный коэффициент мин.23.3mV/K
Темп. коэфф. тип.28.7mV/K
Thermal resistance conditiondevice mounted on ceramic substrate 10x10x0.6mm
Total power dissipation tp 50c500mW
Total power dissipation amb 50c400mW
Total power dissipation conditiondevice mounted on ceramic substrate 10x10x0.6mm
Differential resistance iz 2mA max325Ohm
Differential resistance iz 2mA typ75Ohm
Differential resistance iz 0.5mA max80Ohm
Differential resistance iz 0.5mA typ35Ohm
Non repetitive peak reverse power max40W
Non repetitive peak reverse current max0.9A
Thermal resistance junction ambient max380K/W
Non repetitive peak reverse power conditiontp = 100us; square wave; Tj = 25C prior to surge
Thermal resistance junction solder point max300K/W
Non repetitive peak reverse current conditiontp = 100us; square wave; Tj = 25C prior to surge
Напряжение, В33

Заметили ошибку в описании или параметрах?