Документация
Стабилитрон 0.375Вт 3.3В BZT52H-C3V3,115
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
У поставщиков
5 571 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,87 ₽
Сумма1 174,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии5 571 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 326 — 5,00 ₽ (−15%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 174,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 126,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 174,00 ₽
Описание
Стабилитрон NEXPERIA BZT52H-C3V3,115 на номинальное напряжение 3,3 В. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе SOD123F для поверхностного монтажа, рассчитан на мощность 375 мВт и выдерживает импульсную мощность до 40 Вт. Подходит для защиты цепей и стабилизации напряжения в автомобильной электронике (AEC-Q101) и промышленных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | BZT52H-C3V3 |
| Серия | BZT52H |
| Корпус | SOD-123F |
| Aec q101 | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | однонаправленный |
| Артикул | BZT52H-C3V3 |
| Макс. напряжение | 3.5V |
| Напряжение мин. | 3.1V |
| Код маркировки | B6 |
| Тестовый ток | 5mA |
| Конфигурация | Single |
| Код заказа | BZT52H-C3V3,115 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Обратное напряжение | 1V |
| Номин. напряжение | 3.3V |
| Емкость диода | 450pF |
| Peak reverse power | 40W |
| Ток теста стабилитрона | 5mA |
| Макс. прямой ток | 250mA |
| Макс. прямое напряжение | 0.9V |
| Макс. обратный ток | 5μA |
| Диапазон напр. стабилитрона | 3.1V to 3.5V |
| Емкость диода, макс. | 450pF |
| Напряжение стабилизации номин. | 3.3V |
| Испытательное напряжение утечки VR, В | 1V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 375mW |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -65°C |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Power dissipation 1cm2 pad | 830mW |
| Макс. обратный ток утечки | 5µA |
| Макс. температурный коэффициент | 0mV/K |
| Температурный коэффициент мин. | -3.5mV/K |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 830mW |
| Условия измерения ёмкости | f=1MHz, VR=0V |
| Peak reverse power conditions | tp=100µs, Tj=25°C prior to surge |
| Дифференциальное сопротивление при 1 мА | 500Ω |
| Дифференциальное сопротивление при 5 мА | 95Ω |
| Условия измерения прямого напряжения | IF=10mA |
| Условия измерения ёмкости | f=1MHz; VR=0V |
| Неповторяющаяся импульсная обратная мощность | 40W |
| Условия общей рассеиваемой мощности | FR4 PCB, standard footprint |
| Неповторяющийся пиковый обратный ток | 6A |
| Power dissipation standard footprint | 375mW |
| Total power dissipation max condition | FR4 PCB, 1cm² cathode pad |
| Термосопротивление переход-среда | 330K/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 150K/W |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 70K/W |
| Non repetitive peak reverse current conditions | tp=100µs, Tamb=25°C |
| Thermal resistance junction to ambient 1cm2 pad | 150K/W |
| Thermal resistance junction to ambient condition | standard footprint |
| Thermal resistance junction to ambient max condition | 1cm² cathode pad |
| Thermal resistance junction to ambient standard footprint | 330K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?