Документация
Стабилитрон SMD BZT52H-C3V3,115
У поставщика
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 50
Описание
Стабилитрон (диод Зенера) SMD BZT52H-C3V3,115 от NEX-NXP (NXP Semiconductors) предназначен для стабилизации напряжения в компактных электронных схемах. Компонент выполнен в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, что обеспечивает экономию места на печатной плате. Применяется для защиты цепей от перенапряжения и в качестве опорного источника напряжения в блоках питания и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | Стабилитрон |
| Корпус | SOD123F |
| Тип монтажа | SMD |
| ID компонента | BZT52H-C3V3,115 |
| Код маркировки | B6 |
| Прямое напряжение | ≤0.9V at IF=10mA (pulse test) |
| Обратный ток | 5μA at VR=1V |
| Емкость диода | 450pF at f=1MHz, VR=0V |
| AEC-Q101 | Да |
| Макс. прямой ток | 250mA |
| Test current for vz | 5mA |
| Диапазон рабочего напряжения | 3.1V to 3.5V |
| Nominal working voltage | 3.3V |
| Темп. коэф. | -3.5 to 0.0 mV/K |
| Общая рассеиваемая мощность | 375mW (FR4 standard footprint), 830mW (FR4 with 1cm² cathode pad) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Дифференциальное сопротивление при 1 мА | 500Ω |
| Дифференциальное сопротивление при 5 мА | 95Ω |
| Неповторяющаяся импульсная обратная мощность | 40W (tp=100μs) |
| Неповторяющийся пиковый обратный ток | 6.0A (tp=100μs, Tamb=25°C) |
| Термосопротивление переход-среда | 330K/W (standard footprint), 150K/W (larger pad) |
| Мощность рассеяния, Вт | 0.83 |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 70K/W |
| Напряжение стабилизации, В | 3.3 |
| Напряжение, В | 3,3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?