
Документация
Стабилитрон 0.375Вт 4.7В BZT52H-B5V1,115
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
У поставщиков
714 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт1,56 ₽
Сумма780,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии714 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 500 штюрлицам и ИП
от 502 — 1,43 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 780,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 520,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
500 шт · Склад 13 · 780,00 ₽
Описание
Стабилитрон NEXPERIA BZT52H-B5V1,115 с номинальным напряжением стабилизации 4,7 В и мощностью 375 мВт. Выполнен в компактном корпусе SOD-123F. Подходит для защиты цепей и стабилизации напряжения в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | Single Zener diode |
| Серия | BZT52H |
| Корпус | SOD-123F |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | BZT52H-B5V1,115 |
| Применение | General regulation functions |
| Код маркировки | DL |
| Тестовый ток | 5mA |
| Напряжение стабилизации | 5.0V to 5.2V at I_Z=5mA |
| Прямой ток | 250mA |
| Прямое напряжение | 0.9V max at I_F=10mA |
| Номинальное напряжение | 5.1V |
| Обратный ток | 2μA max at V_R=2V |
| Емкость диода | 300pF max |
| Рассеиваемая мощность | 375mW at Tamb=25°C (standard footprint) |
| Допуск напряжения | ±2% (B version) |
| AEC-Q101 | Да |
| Температура окружающей среды | -65°C to 150°C |
| Темп. хранения | -65°C to 150°C |
| Темп. перехода | 150°C |
| Макс. рассеиваемая мощность | 830mW at Tamb=25°C (1cm2 cathode pad) |
| Дифференциальное сопротивление | 480Ω max at I_Z=1mA; 60Ω max at I_Z=5mA |
| Темп. коэф. | -2.7mV/K to 1.2mV/K |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123F |
| Неповторяющаяся импульсная обратная мощность | 40W at tp=100μs |
| Неповторяющийся пиковый обратный ток | 6A |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 330K/W (standard footprint) |
| Thermal resistance junction to ambient pad | 150K/W (1cm2 cathode pad) |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 70K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?