Документация
Диодная сборка общего применения 200В 20A D2PAK
У поставщика
ПроизводительWeEn
У поставщиков
88 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:88 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 67,76 |
| от 33 | 62,54 |
| от 65 | 58,28 |
| от 129 | 55,09 |
| от 257 | 52,69 |
Описание
Диодная сборка WeEn BYV32EB-200,118 — это сдвоенный ультрабыстрый диод с общим катодом. Компонент рассчитан на обратное напряжение до 200 В и средний выходной ток до 20 А, время обратного восстановления — всего 25 нс. Корпус D2PAK (SOT404) предназначен для поверхностного монтажа. Применяется в импульсных источниках питания и высокочастотных выпрямителях промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Контактов | 3 |
| Тип | Dual ultrafast power diode |
| I frm | 20A |
| I rrm | 0.2A |
| I rsm | 0.2A |
| T stg | -40 to 150°C |
| VRRM | 200V |
| V rwm | 200V |
| I o av | 20A |
| V r dc | 200V |
| Маркировка | BYV32EB-200 |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Q r max | 12.5nC |
| Q r typ | 8nC |
| T j max | 150°C |
| Тип монтажа | SMD |
| R th j a | 60K/W |
| T mb max | 115°C |
| V fr max | 1V |
| Компонент | BYV32EB-200 |
| V esd hbm | 8kV |
| I fsm 10ms | 125A |
| Описание | Dual ultrafast power diode |
| I fsm 8 3ms | 137A |
| Артикул | BYV32EB-200,118 |
| Конфигурация | dual common cathode |
| T rr ramp max | 25ns |
| T rr ramp typ | 20ns |
| T rr step max | 20ns |
| T rr step typ | 10ns |
| R th j mb both | 1.6K/W |
| Esd voltage hbm | 8kV |
| V f 20a 25c max | 1.15V |
| V f 20a 25c typ | 1V |
| V f 8a 150c max | 0.85V |
| V f 8a 150c typ | 0.72V |
| I r 200v 25c max | 30uA |
| I r 200v 25c typ | 6uA |
| I r 200v 100c max | 0.6mA |
| I r 200v 100c typ | 0.2mA |
| Dc reverse voltage | 200V |
| R th j mb per diode | 2.4K/W |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Макс. время обрат. восстановления | 25ns |
| Тип. время восст. | 20ns |
| Диап. темп. хр. | -40 to 150°C |
| Reverse recovery charge max | 12.5nC |
| Тип. заряд восст. | 8nC |
| Average output current total | 20A |
| Forward recovery voltage max | 1V |
| Crest working reverse voltage | 200V |
| Forward voltage at 20A 25C max | 1.15V |
| Forward voltage at 20A 25C typ | 1V |
| Forward voltage at 8A 150C max | 0.85V |
| Forward voltage at 8A 150C typ | 0.72V |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 200V |
| Reverse current at 200V 25C max | 30μA |
| Reverse current at 200V 25C typ | 6μA |
| Reverse current at 200V 100C max | 0.6mA |
| Reverse current at 200V 100C typ | 0.2mA |
| Repetitive peak forward current per diode | 20A |
| Repetitive peak reverse current per diode | 0.2A |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 60 K/W |
| Non repetitive peak forward current per diode 10ms | 125A |
| Non repetitive peak forward current per diode 8 3ms | 137A |
| Non repetitive peak reverse current per diode 100us | 0.2A |
| Thermal resistance junction to mounting base per diode max | 2.4 K/W |
| Thermal resistance junction to mounting base both diodes max | 1.6 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?